TD-SCDMA室内分布系统学习完此课程，您将会：了解室内分布系统了解室内分布系统应用场景掌握TD室内分布系统特点掌握我司RRU在室内分布系统的应用了解室内分布系统实施流程掌握室内分布系统工程分工界面第1章室内分布系统简介第2章TD-SCDMA室内分布系统第3章TD-SCDMA室内分布系统实施流程第4章TD-SCDMA室内分布系统分工界面什么是室内分布系统分布系统组成－主要由分布系统与信号源组成分布系统组成－主要由分布系统与信号源组成有源分布系统为什么要建设室内分布系统典型覆盖场所第1章室内分布系统简介第

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品管圈成果汇报一、开展品管圈的目的及意义二、本圈的圈徽及意义三、本管圈的成员组成四、本管圈的开展规划通过开展品管圈活动，提升医院医疗服务品质管理，持续改进医疗质量的重要举措。通过每一个圈员的参与，实行脑力风暴法，激发工作主动性和创造性，转变传统的工作模式，由要我做，变成我要做。创建良好的工作环境，形成有责任；负责任的医护工作者。提高患者满意度，社会满意度。守护圈三、守护圈的成员组成讨论时刻讨论时刻圈名的选定过程守护健康本圈采用脑力激荡法，充分发挥大家的主观能动性。结合本科室的实际情况选定的。现状把握：；按

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OPC接口技术AssessmentCommon内容提要4HMI/SCADAMeasurement为什么需要OPCOPC的解决方案概述OPC的宗旨BeforeOPCOPC技术基础OPC技术基础构成OPC基金会OPC基金会OPC基金会组织结构OPC中国基金会OPC特性OPCasahubOPCconnectiontodatabasesOPCforinternalcommunication:AIPasexampleOPCConnectiontoERPAccessingaserverinanothernodeCOM

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OrthogonalFrequencyDivisionMultiplex(OFDM)OFDM原理图1多载波传输系统原理框图图2子载波的两种设置方案正交频分复用技术OFDM调制原理框图OFDM信号的频谱结构示意图OFDM解调原理框图用DFT实现OFDM的原理框图OFDM的优缺点OFDM同步峰均比（PAR）降低PAR的方法抗多径OFDM参数选择实例

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OFDM技术基本原理ModulationandDemodulationinanOFDMSystemOFDM正交子载波Time-FrequencyView优点1：抗多径衰落优点3：Mitigateburstnoise优点4：高的频谱利用率优点4：高的频谱利用率优点4：高的频谱利用率缺点：DFT的实现等效基带形式：OFDM符号的解调-DFT根据以上分析，OFDM系统的调制解调可以分别由IDFT和DFT实现。通过N点的IDFT把频域数据符号转换为时域号，经射频载波调制后发送到无线信道中。GI,Why?为了最大限

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miRNA的研究策略与方法主要内容参考书目miRNA简介MicroRNA研究的殊荣microRNA的结构miRNA生成和作用通路miRNA作用简介miRNA表达的时空特异性miRNA的功能miRNA相关数据库microRNA发现数量综合数据库miRNA研究发展趋势—drugmiRNA研究特点miRNA研究流程特点microRNA研究领域特点欢迎大家批评指正！

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FTA分析（不良事例分析FTA)比较改善事项3.检讨不良原因4.检讨不良原因5.PCB材料

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电子探针显微分析EPMA定义特征X射线4根据特征X射线的波长（能量）进行元素定性分析；根据特征X射线的强度进行元素的定量分析。常用的X射线谱仪有两种：1、利用特征X射线的不同波长来展谱——波谱仪；2、利用特征x射线不同能量来展谱——能谱仪。电子探针仪电子探针仪的构造波谱仪全聚焦直进式波谱仪——分光晶体、X射线探测器和相应的机械传动装置构成9WDX原理图11分光晶体：专门用来对X射线起分光作用的晶体。它具有的性能：高的衍射效率强的反射能力好的分辨率外形具有一定弧度不同的分光晶体有不同的分光波长范围，只能分光

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本章重点6.1引言6.2静态CMOS设计6.2.1互补CMOS在构成PUN和PDN网络时应当记住以下几点：晶体管可以看成是由其栅信号控制的开关PDN由NMOS器件构成，而PUN由PMOS器件构成。理由是NMOS管产生“强零”而PMOS管产生“强1”NMOS逻辑规则：串联器件实现AND操作，并联器件实现OR操作PMOS逻辑规则：串联器件实现NOR操作，并联器件实现NAND操作PUN和PDN是对偶网络互补门在本质上是反相的(NAND,NOR,XNOR)实现一个具有N个输入的逻辑门所需要的晶体管数目为2N例6.

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Part1超大规模集成电路设计基础Part1超大规模集成电路设计导论CMOS工艺与器件半导体及其导电能力P型和N型半导体MOS管n+MetalCMOSCMOSCMOSCMOS工艺与器件CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(1)CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(2)CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(3)CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(4)制造：制版与光刻（1）制造：制版与光刻（2）光刻系统CMOS工

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______________________________________________________________________________________________________________视听资料和电子数据相关规定及论述目录1、最高人民法院关于民事诉讼证据的若干规定2、民诉法3、民诉法解释4、电子数据—《中华人民共和国民事诉讼法》修改条文理解与适用5、理论论述1、最高人民法院关于民事诉讼证据的若干规定第二十二条调查人员调查收集计算机数据或者录音、录像等视听资料的应当要求被调

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PET简介及发展趋势PET简介国内发展现状行业内探测器发展现状探测器物理结构及工作过程探测器的形式PET探测器发展趋势一、PET简介正电子湮灭示意图CTPET二、国内发展现状谢谢！

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IP-COMIP-COM是全球领先的行业网络通信设备供应商和无线解决方案提供商，主要从事无线、网关和交换机等商用级网络设备的研发、生产与销售；致力于为行业用户提供领先的无线工程解决方案。IP-COM成立于2007年12月，现已设立了一个营销事业部、一个生产基地和一个研发中心，并在国内主要中心城市设立了16个办事机构，销售网络遍及全中国。IP-COM全面推行以客户需求为核心的质量文化，持续在产品研发、供应、服务、培训等方面开展流程变革与管理优化，旨在为客户提供高品质、高性价比的产品与服务，长久地为客户创造价

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孔隙频谱分析孔隙谱分析程序(PorositySpectrumAnalysis)，简称PoroSect程序，它可以计算不同孔径的孔隙度，并能区分原生孔隙和次生孔隙。利用成像测井资料分析地层孔隙度分布的原理如图所示，选取1个图像窗口，常取（3.048cm），用阿尔奇公式计算窗口中每个成像测井像素点的孔隙度大小，统计该单元内不同区间的孔隙度贡献份额（即频数），绘制孔隙度值的统计分布图——孔隙度频率分布曲线，从而了解该窗口对应地层中的孔隙度分布情况。FMI测井孔隙度计算主要依据是阿尔奇公式。FMI的探测深度较浅，

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DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果和意义DCCT的结果与意义DCCT的结果与意义DCCT的结果与意义DCCT的结果与意义DCCT的结果与意义

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1什么是慢性阻塞性肺疾病COPD的现状COPD日（11月第三周周三）COPD离你有多远COPD的最重要的发病因素7吸烟其他致病因素肺气肿的发病机理COPD的主要临床症状急性加重早发现从COPD的病因谈其社区预防开展COPD预防的必要性和紧迫性已明确的COPD病因或危险因素反复气道感染或过敏与COPD出生时低体重与COPD遗传因素与COPD粉尘及有害气体的吸入与COPD导致COPD发生的其它因素COPD的社区预防三级预防——COPD的全人群策略（一级／病因预防）三级预防——COPD的二级预防（临床前预防）三

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东南大学无锡分校CMOS版图设计基础2012-11-7东南大学无锡分校集成电路版图与PCB版图区别东南大学无锡分校前者包括布线和器件结构后者只有布线2012-11-7东南大学无锡分校电路集成电路版图设计掩膜版制造光刻等制造工艺封装与测试2012-11-7硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系东南大学无锡分校1.N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底2.有源区——做晶体管的区域（G,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层3.多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多

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SVG、DVR调查报告SVG介绍：SVG是电力电子系统中典型的设备，它通常由检测模块、控制预算模块及补偿输出模块组成。其工作原理是由外部检测模块检测出电流信息，然后由控制预算模块对电流信息进行分析，给出补偿的驱动信号，由补偿模块给出补偿电流。其作用是迅速吸收或者发出所需的无功功率，实现快速动态调节无功的目的。作为有源形补偿装置，不仅可以跟踪冲击型负载的冲击电流，而且可以对谐波电流也进行跟踪补偿。目前，国际上最先进的SVG产品是STATCOM---静止同步无功补偿器。SVG主要功能：1)动态补偿电网无功功率

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FocalTechSystemsCompany,Ltd.敦泰科技TPDevelopmentKitManualProjectnameTPDevelopmentKitDocumentref[Documentref]Version1.5Releasedate17Nov2010AuthorLiys/Luowj/ZengruiClassification[DOCUMENTCLASSIFICATION]DistributionList[DISTRIBUTIONLIST]ApprovedbyNameSignatureD

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TDLTE掉线坏小区处理流程1、掉线定义及分类移动定义的掉话的计算公式如下：∑（eNB请求释放上下文数-正常的eNB请求释放上下文数）/∑(初始上下文建立成功次数+遗留上下文个数)*100%，其中∑代表将本地网范围内的各个小区的统计结果累加。异常的请求释放上下文即为掉线，ALU设备中主要包括如下4种类型的掉线：内部原因掉线（IF）、无线原因掉线（RLF）、无线接口原因掉线（RIF）、切换掉线（S1/X2HoDrop）。2、掉线分析流程掉线问题分析可以按照如下步骤来逐步展开分析并处理：第一步：性能检查，检

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