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一种IGZO靶材的制备方法.pdf

本发明涉及一种靶材的制备方法，特别是一种高性能IGZO靶材的制备方法。包括以下步骤：（1）将Ga2O3纳米粉体、ZnO纳米粉体与In2O3纳米粉体按原子比In：Ga：Zn=1:1~5:1~5均匀球磨混合得到IGZO粉体，添加IGZO粉体质量1%-5%的PVA进行造粒；（2）将IGZO粉体装入模具中在40～80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa/min进行卸压，至常压后取出成型好的素坯；（3）将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/m

小云****66

一种N2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法.pdf

一种N2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法，该制备方法包括：1)在生长有SiO2的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜，得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片；2)将生长有IGZO非晶薄膜的硅基片利用气氛保护退火管式炉在N2气氛下350-450℃保温45-75分钟，得到非晶IGZO透明氧化物薄膜。本发明制备的IGZO透明氧化物薄膜包括In、Ga、Zn、O四种成分；其中，In的原子数百分含量为18～21％，Ga的原子数百分含量为18～21％，Zn的原子数百分含量为8～10％，O的原子数百分含量为48～56％

一种IGZO旋转靶烧结时的装炉方法.pdf

本发明公开了一种IGZO旋转靶烧结时的装炉方法，通过在IGZO旋转靶的底部加装刚玉莫来石支架、改变硅钼棒位置、使用特制的氧化锌垫圈和处理过的刚玉粒，可使IGZO旋转靶口均匀收缩，旋转靶快速完全烧结，达到目标密度，提高了IGZO旋转靶的品质，保证了成品率，同时节约了时间，降低了能耗。

一种新型IGZO气氛预热烧结炉.pdf

本发明公开了一种新型IGZO气氛预热烧结炉，通过在烧结炉内加入预热管道，对烧结气氛进行炉内预热；并且通过改造预热管道出气口的安装位置以及安装方式，可以使炉内气氛均匀流动，避免气流对靶材的冲击，同时，还能够降低炉内温差，有效地保证了IGZO靶材的烧结温度区间，在保证电导率的同时使得靶材的密度和晶粒尺寸更均匀，提高了靶材的稳定性和均匀性，降低烧结时间，节约能源，提高了靶材的成材率。

一种基于IGZO肖特基二极管动态调控超材料的方法.pdf

本发明涉及一种基于IGZO肖特基二极管动态调控超材料的方法，IGZO肖特基二极管包括由下自上依次生长的衬底、肖特基电极、非晶铟镓锌氧有源层、欧姆电极，包括步骤如下：(1)将超材料作为肖特基电极，并使非晶铟镓锌氧有源层完全覆盖超材料中的电容性结构，超材料中的电容性结构与非晶铟镓锌氧有源层结合形成肖特基势垒；(2)通过步骤(1)处理后的IGZO肖特基二极管动态调控超材料。本发明实现了对超材料包括透过率、反射率和吸收率在内的电磁特性大幅动态调制，同时不影响超材料结构设计的共振频率，可以被应用到各类超材料器件和具

一种IGZO靶材及其制备方法、检测系统.pdf

本发明公开了一种IGZO靶材及其制备方法、检测系统,属于IGZO靶材技术领域;解决如何基于不添加粘结剂条件下同样保证IGZO靶材的高致密度及成材率;通过选取比表面积为20?25m<base:Sup>2</base:Sup>/g、原子比In:Ga:Zn=1:0.9?1.3:1的高纯铟、镓、锌进行粉体制备、成型、IGZO烧结靶、机加、超声波清洗、绑定、检验最后入库实现在成型阶段免除了添加剂的使用,避免了新杂质的加入影响材料纯度,同时避免了烧结时有机物分解产生气孔和断面;通过对制造的IGZO靶材进行致密度及微观

一种功率IGZO薄膜晶体管及其制备方法.pdf

本发明提供了一种功率IGZO薄膜晶体管及其制备方法,所述方法包括:衬底、栅电极层、栅极绝缘层、源极、漏极、IGZO层、Al膜覆盖层。在水平方向上,所述栅电极层与源区电极的交叠长度为2μm,与漏区电极的偏移长度也为2μm;所述的IGZO有源层水平方向上分为栅控区域的沟道区和非栅控区域的Al膜覆盖层,Al膜覆盖层长度为3μm,包含与漏区电极交叠长度1μm和栅漏偏移区长度2μm;制备好的Al膜覆盖层在300℃下N2氛围退火5?10min。本发明的Al膜退火工艺,能够增加偏移区的电子浓度,显著降低偏移区的导通电阻