一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法.pdf

本发明公开了一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法,包括以下步骤:(1)对块体InGaN材料的原子结构模型进行几何优化;(2)构建二维InGaN的原子结构模型:从几何优化后的块体InGaN材料中沿c面切出表面,沿c轴方向添加真空层构建晶胞;在二维InGaN材料的表面添加赝氢原子,氢原子成键方向垂直于c轴;(3)计算二维InGaN材料的能带结构:首先对二维InGaN材料的原子结构模型进行几何优化,接着通过单点能计算输出电荷分布情况,最后计算二维InGaN材料的能带结构,读取单点能计算输出的电荷分布。本发明解决了非层状二维材料设计中计算难收敛的问题,减少了材料设计的时间,提高了效率。