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双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析
导言
随着半导体技术的不断发展，电子设备的集成度和处理速度不断提高。液晶显示器、太阳能电池等高科技行业都离不开半导体材料的应用。其中，外延片技术是制备半导体器件的关键技术之一。本文将探讨双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析。
一、双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长
1.SLD概述
SLD(SuperluminescentDiode)是一种新型光电元件，是将LD(LaserDiode)和LED(LightEmittingDiode)结合而成。具有高光输出功率、较宽的发光谱带宽、单色性好、较高的光电转换效率、无谐振模式、简单的工作结构等优点，在光源、激光显微血管成像等领域得到了广泛应用。
2.SLD的液相外延生长
SLD的制备过程中，外延片生长技术是至关重要的一环。外延片是利用化学反应在半导体衬底上生长出来的一层晶体结构。
液相外延技术(LEP)是外延片生长技术中一种常用的技术，其优点是材料使用率高、成本低、温度均匀等。在SLD的液相外延生长中，需要控制生长温度、生长时间、外延片前界的厚度等参数，以保证生长出的外延片具有良好的结晶性和均一性。
3.双沟平面掩埋结构SLD的特点
双沟平面掩埋结构SLD是一种传统的结构设计，其结构与LD类似，具有波导结构和PN结结构。不同的是，SLD的P区和N区是直接生长在n+型掺杂衬底上，而不是像LD那样是经过掺杂的。
由于SLD的结构设计使得激子的重组位置远离PN结，从而减少了副本载流子的产生，使得SLD的量子效率更高、自发辐射少、噪声低。
二、双沟平面掩埋结构SLD的漏电分析
1.漏电机理
在SLD的运动过程中，漏电电流是影响器件性能的一个关键问题。漏电机理主要有PN结的隧穿电流、空穴和电子的复合导致的散粒误差、表面态和界面态等。
2.漏电分析方法
目前，常见的漏电分析方法主要包括以下几种。
(1)双探针法
双探针法是最常见的一种漏电分析方法。它通过测量器件的IV特性曲线，得到漏电电流随电压变化的规律。通过分析曲线斜率，可以判断漏电机理，从而对器件进行优化设计。
(2)暗电流法
暗电流法是通过测量器件在暗场中的电流变化规律，来判断器件中漏电机理，包括PN结电容法、隧穿电流法等。
(3)光电流法
光电流法是通过在器件中加入不同波长的光源，测量器件的电流响应，来判断器件中漏电机理。包括弱磷光法、快速光脉冲法等。
结论
本文主要探讨了双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析。在SLD的制备过程中，液相外延技术是最常用的一种技术，需要控制生长参数以保证外延片的结晶性和均一性。双沟平面掩埋结构SLD相比于其他结构的SLD，具有自发辐射少、噪声低的特点。漏电分析是衡量器件性能的关键因素之一，常见的漏电分析方法包括双探针法、暗电流法和光电流法等。