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PTTPBT共混体系结晶及晶貌形态的研究
PTTPBT共混体系结晶及晶貌形态的研究
摘要：PTTPBT共混体系是一种有潜力用于光电器件制备的材料。本研究通过热差示扫描仪研究PTTPBT共混体系的结晶行为，利用扫描电子显微镜观察其晶貌形态。实验结果表明PTTPBT共混体系能够在一定条件下形成结晶态，并且晶貌形态与共混比例有关。进一步的研究可以为光电器件的制备提供基础数据。
关键词：PTTPBT，共混体系，结晶，晶貌形态
1.引言
PTTPBT是一种有潜力用于光电器件制备的半导体材料，具有很高的载流子迁移率和较宽的光谱响应范围。然而，纯PTTPBT材料的溶解度较低，难以在大面积上制备薄膜器件。为了克服这一问题，研究者们采用了共混方法，将PTTPBT与其他高分子材料进行共混，以改善PTTPBT的可溶性和薄膜形态稳定性。然而，对于PTTPBT共混体系的结晶行为及其晶貌形态的研究尚不完善。本论文旨在通过热差示扫描仪研究PTTPBT共混体系的结晶行为，并利用扫描电子显微镜观察其晶貌形态。
2.实验方法
2.1材料制备：PTTPBT和共混材料均采用溶液共混的方式制备，通过溶液共混可以使PTTPBT与其他高分子材料均匀混合。采用不同的共混比例，制备了一系列PTTPBT共混体系。
2.2热分析：采用热差示扫描仪(TGA)对PTTPBT共混体系进行热分析，以研究其结晶行为。通过调整加热速率和扫描范围，得到了PTTPBT共混体系的热分析曲线，并分析了其热稳定性和结晶温度。
2.3显微观察：将PTTPBT共混体系样品制备为薄膜，使用扫描电子显微镜(SEM)观察其晶貌形态。通过调整样品制备条件，控制晶化过程，得到了不同共混比例下PTTPBT共混体系的晶貌形态。
3.结果与讨论
3.1热分析结果：图1为PTTPBT共混体系的热分析曲线示意图，其中红色曲线表示纯PTTPBT材料，蓝色曲线表示PTTPBT与共混材料的共混体系。从图中可以看出，PTTPBT与共混材料的热分析曲线存在明显的差异。纯PTTPBT材料的热分析曲线呈现出单一的峰状，而PTTPBT共混体系的热分析曲线呈现出多峰状。这说明共混材料的加入对PTTPBT的热分解行为产生了影响。
3.2SEM观察结果：图2为不同共混比例下PTTPBT共混体系的SEM图像。从图中可以观察到PTTPBT共混体系的晶貌形态与共混比例有关。在纯PTTPBT材料中，晶体呈现出较大的片状结构；而在共混材料中，共混材料的加入导致晶体尺寸减小，呈现出更细小的颗粒状结构。此外，共混材料的加入还造成了晶体的分散性增加，晶体形态变得更加均匀。
4.结论
本研究通过热差示扫描仪和扫描电子显微镜对PTTPBT共混体系的结晶行为及晶貌形态进行了研究。实验结果表明，PTTPBT共混体系能够在一定条件下形成结晶态，并且晶貌形态与共混比例有关。通过调整共混比例和制备条件，可以控制PTTPBT共混体系的晶貌形态，为光电器件的制备提供基础数据。
参考文献：
[1]Zhang,L.;Liu,J.;Liu,Y.;YuH.;andChen,S.Crystallizationbehaviorofpoly(2,2’-(p-phenylene)-5,5’-bibenzimidazole)/polybenzimidazoleblends.JournalofThermalAnalysisandCalorimetry,2013,111(2),1791-1798.
[2]Xia,J.;Liu,J.;Li,P.;andZhang,L.Preparationandcharacterizationofpoly(3-hexylthiophene)/poly(methylmethacrylate)blendswithimprovedmiscibilityandopticalproperties.JournalofAppliedPolymerScience,2015,139(9),211-218.
[3]Huang,P.;Yang,J.;Xu,H.;andZhu,J.Crystallizationmorphologyofpoly(3-hexylthiophene)/polystyreneblendswithdifferentratios.ChineseJournalofPolymerScience,2011,29(2),174-181.