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准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展
准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展
摘要：
薄膜晶体管（TFT）是现代电子器件中最关键的部分之一，存在着制程繁琐、材料限制、性能不稳定等问题。准分子激光晶化作为一种新兴的制备方法，具有非接触、非热性、选择性等优点，正逐渐被应用于TFT多晶硅薄膜的制备。本文综述了准分子激光晶化方法及其在TFT多晶硅薄膜制备中的研究进展，并探讨了激光参数、底层基板和前驱体材料等因素对TFT性能的影响，最后展望了准分子激光晶化在TFT领域的未来发展。
关键词：准分子激光晶化；TFT多晶硅薄膜；制备方法；影响因素；未来发展
1.引言
薄膜晶体管（TFT）是电子器件中非常重要的一类器件，广泛应用于显示技术、传感技术以及集成电路等领域。TFT多晶硅薄膜作为TFT的材料之一，在高温工艺下制备，并且具有较高的电学性能和稳定性。
2.准分子激光晶化方法
准分子激光晶化（QLC）是一种通过激光器的能量传递来提高材料结晶度的技术。与传统的热退火方法不同，QLC具有非接触、非热性、高选择性等优点。在TFT多晶硅薄膜的制备中，QLC可以提高晶体管的结晶度和晶界质量，从而提高其电学性能。
3.准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展
近年来，越来越多的研究开始探索QLC在TFT多晶硅薄膜制备中的应用。各种不同的激光参数、底层基板和前驱体材料等因素对TFT性能的影响得到了广泛的研究。
3.1激光参数的影响
激光参数（如能量密度、脉冲宽度、重复频率等）对TFT多晶硅薄膜的晶化度和结晶度有重要影响。适当调节激光参数可以优化晶界质量和晶体管性能。
3.2底层基板的选择
底层基板对TFT多晶硅薄膜的结晶度、晶界质量和电学性能有着重要影响。研究表明，选择合适的基板材料可以提高TFT的性能。
3.3前驱体材料的选择
前驱体材料对TFT多晶硅薄膜的结晶度、晶界质量和电学性能也有着重要影响。不同的前驱体材料会导致不同的晶体管性能。
4.准分子激光晶化在TFT领域的未来发展
随着科技的不断发展，准分子激光晶化在TFT多晶硅薄膜制备中的应用前景非常广阔。未来的研究可以重点关注如何进一步提高晶界质量和晶体管性能，同时探索更多新型的前驱体材料和底层基板材料。
5.结论
准分子激光晶化作为一种新兴的制备方法，具有非接触、非热性、选择性等优点，被广泛应用于TFT多晶硅薄膜的制备。激光参数、底层基板和前驱体材料等因素对TFT性能有着重要影响。未来的研究可以进一步提高晶界质量和晶体管性能，并探索更多新型材料的应用。
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