嵌入式系统接口技术.docx

嵌入式系统接口技术嵌入式系统接口技术实际上，嵌入式系统本身是一个外延极广的名词，凡是与产品结合在一起的具有嵌入式特点的控制系统都可以叫嵌入式系统，而且有时很难以给它下一个准确的定义。下面是YJBSY小编整理的嵌入式系统接口技术，希望对你有帮助!1.Flash存储器(1)Flash存储器是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分为NORFlash和NANDFlash两种。(2)Flash存储器的特点：A、区块结构：在物理上分成若干个区块，区块之间相互独立。B、先擦后写：Flash的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。C、操作指令：执行写操作，它必须输入一串特殊指令(NORFlash)或者完成一段时序(NANDFlash)才能将数据写入。D、位反转：由于Flash的固有特性，在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。E、坏块：区块一旦损坏，将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。(3)NORFlash的特点：应用程序可以直接在闪存内运行，不需要再把代码读到系统RAM中运行。NORFlash的传输效率很高，在1MB~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。(4)NANDFlash的特点能够提高极高的密度单元，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的U盘都使用NANDFlash作为存储介质的原因。应用NANDFlash的困难在于闪存需要特殊的系统接口。(5)NORFlash与NANDFlash的区别：A、NORFlash的读速度比NANDFlash稍快一些。B、NANDFlash的擦除和写入速度比NORFlash快很多C、NANDFlash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。D、NORFlash带有SRAM接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NANDFlash的地址、数据和命令共用8位总线(有写公司的产品使用16位)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据。E、NORFlash的容量一般较小，通常在1MB~8MB之间;NANDFlash只用在8MB以上的产品中。因此，NORFlash只要应用在代码存储介质中，NANDFlash适用于资料存储。F、NANDFlash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NORFlash是十万次。G、NORFlash可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码;NANDFlash需要特殊的I/O接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NANDFlash上自始至终必须进行虚拟映像。H、NORFlash用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为代码闪存;NANDFlash则用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域，被成为数据闪存。2、RAM存储器(1)SRAM的特点：SRAM表示静态随机存取存储器，只要供电它就会保持一个值，它没有刷新周期，由触发器构成基本单元，集成度低，每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，因此其成本较高。它具有较高速率，常用于高速缓冲存储器。通常SRAM有4种引脚：CE：片选信号，低电平有效。R/W：读写控制信号。ADDRESS：一组地址线。DATA：用于数据传输的一组双向信号线。(2)DRAM的特点：DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。它必须有规律地进行刷新，从而将数据保存在存储器中。DRAM的接口比较复杂，通常有一下引脚：CE：片选信号，低电平有效。R/W：读写控制信号。RAS：行地址选通信号，通常接地址的高位部分。CAS：列地址选通信号，通常接地址的低位部分。ADDRESS：一组地址线。DATA：用于数据传输的一组双向信号线。(3)SDRAM的特点：SDRAM表示同步动态随机存取存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储器阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。它通常只能工作在133MHz的主频。(4)DDRAM的特点DDRAM表示双倍速率同步动态随机存取存储器，也称DDR。DDRAM是基于SDRAM技术的，SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数