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VASP经典学习教程-有用.doc

VASP经典学习教程-有用VASP经典学习教程-有用PAGEPAGE1VASP经典学习教程-有用VASP学习教程太原理工大学量子化学课题组2012/5/25太原目录TOC\o”1—3"\h\z\uHYPERLINK\l”_Toc326742420"第一章Linux命令PAGEREF_Toc326742420\h1HYPERLINK\l”_Toc326742421”1。1常用命令PAGEREF_Toc326742421\h1HYPERLINK\l"_Toc32674

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VASP基于第一性原理分子动力学计算的软件包简介.doc

VASP基于第一性原理分子动力学计算的软件包简介VASP基于第一性原理分子动力学计算的软件包简介VASP基于第一性原理分子动力学计算的软件包简介VASP基于第一性原理分子动力学计算的软件包简介VASP是使用赝势和平面波基组，进行第一性原理分子动力学计算的软件包。VASP中的方法基于有限温度下的局域密度近似(用自由能作为变量）以及对每一MD步骤用有效矩阵对角方案和有效Pulay混合求解瞬时电子基态。这些技术可以避免原始的Car-Parrinello方法存在的一切问题,而后者是基于电子、离子运动方程同时积分的

载流子迁移率计算方法(VASP,ORIGIN).pdf

计算公式：之巴公井开创作半导体物理书上也有载流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式，经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用vasp计算的参数有，Sl,me,md,El这四个参数，其他的都是常数，可以查询出来带入公式。参数：Sl,就是需要我们先用vasp计算出声子谱，我们要对声子谱求导，取导带底处的值，对应的就是电子迁移率的Sl所以需要学会怎么使用phonopyme:就是电子的有效质量，要用origin对能带图求二次导，取导带底对应的值。md:mx就是布里渊区X方向的有效质量，my就是y

太原理工大学--VASP--讲解.pdf

VASP学习教程太原理工大学量子化学课题组2012/5/25太原目录第一章LINUX命令.......................................................................................................11.1常用命令....................................................................................................

(完整word版)VASP使用总结.doc

VASP计算的理论及实践总结一、赝势的选取二、收敛测试1、VASP测试截断能和K点2、MS测试三、结构弛豫四、VASP的使用流程（计算性质）1、VASP的四个输入文件的设置2、输出文件的查看及指令3、计算单电能(1)测试截断能(2)测试K点4、进行结构优化5、计算弹性常数6、一些常用指令一、赝势的选取VASP赝势库中分为：PP和PAW两种势，PP又分为SP（标准）和USPP（超软）。交换关联函数分为：LDA（局域密度近似）和GGA（广义梯度近似）。GGA又分为PW91和PBE。在VASP中，其中pot,p

(完整word版)VASP使用总结.doc

(完整word版)VASP(计算前的各种测试).doc

（计算前的）验证一、检验赝势的好坏：（一）方法：对单个原子进行计算；（二）要求：1、对称性和自旋极化均采用默认值；2、ENCUT要足够大；3、原胞的大小要足够大，一般设置为15Å足矣，对某些元素还可以取得更小一些。（三）以计算单个Fe原子为例：1、INCAR文件：SYSTEM=FeatomENCUT=450.00eVNELMDL=5!makefivedelaystillchargemixing，详细意义见注释一ISMEAR=0SIGMA=0.12、POSCAR文件：atom15.001.000.000.0

VASP使用经验总结—By-Rosen-Review.docx

VASP使用经验总结一ByRosenReview目录GeometryOptimizations1ChoiceofOptimizationAlgorithms2ElectronicEnergyConvergence3SpinPolarization5TransitionStates5Spin/ChargeDensities5Pseudopotentials6ParallelPerformance6ASE6RosenReview：我在这里包括一些积累的VASP智慧。这些技巧中有许多是经验法那么，所以要考虑对你

一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法.pdf

本发明公开了一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法,包括以下步骤:(1)对块体InGaN材料的原子结构模型进行几何优化;(2)构建二维InGaN的原子结构模型:从几何优化后的块体InGaN材料中沿c面切出表面,沿c轴方向添加真空层构建晶胞;在二维InGaN材料的表面添加赝氢原子,氢原子成键方向垂直于c轴;(3)计算二维InGaN材料的能带结构:首先对二维InGaN材料的原子结构模型进行几何优化,接着通过单点能计算输出电荷分布情况,最后计算二维InGaN材料的能带结构,读取单点能计算输出的电荷分