半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用.pdf 立即下载
2023-05-20
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半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用.pdf

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本发明属于量子点技术领域,具体为半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用,半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法,包括以下步骤:将含碲的化合物与NaBH4混合,制备NaHTe前驱体;向除氧的水中加入镉化合物和半胱胺盐酸盐,溶解,同时在溶解的过程中通入惰性气体,制备Cd前驱体溶液;向所述Cd前驱体溶液中加入所述NaHTe前驱体溶液,混合,调节pH至5.6?6.3,在90?95℃回流1?4h制备半胱胺修饰的CdTe量子点,加入Hg2+能使CA?CdTe量子点的荧光完全猝灭而检测Hg2+,Hg2+修饰后量子点可以选择性识别谷胱甘肽。
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半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用

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