包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115995485A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202210942713.4H01L29/792(2006.01)(22)申请日2022.08.08(30)优先权数据10-2021-01388352021.10.18KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人申建旭卞卿溵李相受金昌炫李昌锡(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师马晓蒙(51)Int.Cl.H01L29/423(2006.01)H01L29/51(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图15页(54)发明名称包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备(57)摘要提供了一种包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备，该薄膜结构包括衬底、在衬底上并与衬底间隔开的金属层、以及在衬底和金属层之间的二维材料层。二维材料层可以被配置为限制和/或阻挡衬底和金属层之间的电子转移。二维材料层上的金属层的电阻率可以通过二维材料层降低。CN115995485ACN115995485A权利要求书1/2页1.一种薄膜结构，包括：衬底；在所述衬底上并与所述衬底间隔开的金属层；以及在所述衬底和所述金属层之间的二维材料层，所述二维材料层被配置成阻挡所述金属层和所述衬底之间的电子转移。2.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述金属层的电阻率通过所述二维材料层降低。3.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述二维材料层包括二维绝缘体。4.根据权利要求3所述的薄膜结构，其中所述二维绝缘体包括BN、MnO2、MoO3、GaSe、Ga2N3或As2S3。5.根据权利要求3所述的薄膜结构，进一步包括：在所述二维材料层和所述金属层之间的石墨烯层。6.根据权利要求5所述的薄膜结构，其中所述金属层直接在所述石墨烯层上。7.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述金属层包括W、Mo、Co、Ru、Rh或Ir。8.根据权利要求1所述的薄膜结构，其中所述金属层直接在所述二维材料层上。9.一种电子器件，包括：包括半导体材料的沟道层；在所述沟道层上并与所述沟道层间隔开的栅电极；以及在所述沟道层和所述栅电极之间的二维材料层，所述二维材料层被配置为阻挡所述栅电极和所述沟道层之间的电子转移。10.根据权利要求9所述的电子器件，其中所述二维材料层包括二维绝缘体。11.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述二维绝缘体包括BN、MnO2、MoO3、GaSe、Ga2N3或As2S3。12.根据权利要求9所述的电子器件，进一步包括：在所述二维材料层和所述栅电极之间的石墨烯层。13.根据权利要求9所述的电子器件，进一步包括：在所述沟道层和所述二维材料层之间的电荷俘获层。14.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述电荷俘获层包括俘获层和隧穿氧化物层。15.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述沟道层包括多晶硅。16.根据权利要求13所述的电子器件，包括：多个存储单元，每个存储单元包括所述沟道层、所述电荷俘获层、所述二维材料层和所述栅电极，其中所述多个存储单元在与所述沟道层、所述电荷俘获层、所述二维材料层和所述栅电极沿其排列的方向垂直的方向上排列。17.根据权利要求16所述的电子器件，进一步包括：柱形绝缘体，2CN115995485A权利要求书2/2页其中所述沟道层、所述电荷俘获层、所述二维材料层和所述栅电极围绕所述柱形绝缘体的横向侧，所述沟道层在所述柱形绝缘体的所述横向侧和所述二维材料层之间，以及所述电荷俘获层在所述沟道层和所述二维材料层之间。18.根据权利要求17所述的电子器件，进一步包括：在所述栅电极和所述二维材料层之间的石墨烯层。19.根据权利要求9所述的电子器件，进一步包括：在所述栅电极和所述二维材料层之间的铁电层；以及在所述铁电层和所述二维材料层之间的导电层。20.根据权利要求19所述的电子器件，进一步包括：在所述二维材料层和所述导电层之间的石墨烯层。21.根据权利要求9所述的电子器件，进一步包括：电连接到所述沟道层的一端的电容器。22.一种电子设备，包括：包括多个存储单元的存储器件；以及存储控制器，配置为控制所述存储器件，其中所述多个存储单元中的每个包括沟道层、栅电极、二维材料层和存储层，所述沟道层包括半导体材料，所述栅电极在所述沟道层上并与所述沟道层间隔开，所述二维材料层在所述沟道层和所述栅电极之间，所述二维材料层被配置为阻挡所述栅电极和所述沟道层之间的电子转移，以及所述存储层在所述沟道层和所述栅电极之间。23.根据权利要求22所述的电子设备，其中所述存储层包括电荷俘获层或铁电层。3CN115995485A说明书1/10页包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设