检测窗抛光垫沟槽的加工方法、抛光层及抛光垫.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115837633A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211568505.9(22)申请日2022.12.08(71)申请人上海芯谦集成电路有限公司地址201306上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄12号厂房一层101(72)发明人杨波(74)专利代理机构上海格联律师事务所31412专利代理师夏海波(51)Int.Cl.B24B37/20(2012.01)B24B37/22(2012.01)B24B37/26(2012.01)权利要求书1页说明书8页附图2页(54)发明名称检测窗抛光垫沟槽的加工方法、抛光层及抛光垫(57)摘要本发明检测窗抛光垫沟槽的加工方法，包括如下步骤：步骤一，加工刀具从抛光垫的抛光层的非检测窗区域开始雕刻凹槽，形成基础沟槽；步骤二，当加工刀具接近检测窗时，加工刀具逐渐抬起，直至离开抛光层，形成检测沟槽；其中检测沟槽为倾斜结构。与现有技术相比，本发明有益效果在于：在进行检测窗抛光垫的沟槽加工过程中，在加工刀具跳窗口时，加工刀具起刀点集合面(检测沟槽表面)与抛光层底面之间的夹角≤80度时，加工刀具离开抛光垫时不会产生毛刺，免除了人工打磨毛刺的工序，提高了加工效率，有效地解决了毛刺的问题。CN115837633ACN115837633A权利要求书1/1页1.一种检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，加工刀具(3)从抛光垫的抛光层(1)的非检测窗(4)区域开始雕刻凹槽，形成基础沟槽(2)；步骤二，当加工刀具(3)接近检测窗(4)时，加工刀具(3)逐渐抬起，直至离开抛光层(1)，形成检测沟槽(5)；其中，所述检测沟槽(5)为倾斜结构。2.根据权利要求1所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，步骤二为匀速雕刻的加工步骤。3.根据权利要求1所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，检测沟槽(5)满足：a≤80度；其中，a为检测沟槽(5)表面与抛光层(1)底面之间的夹角。4.一种检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，加工刀具(3)从抛光垫的抛光层(1)的非检测窗(4)区域开始雕刻凹槽，形成基础沟槽(2)；步骤二，当加工刀具(3)接近检测窗(4)时，加工刀具(3)逐渐抬起，直至离开抛光层(1)，形成检测沟槽(5)；其中检测沟槽(5)为弧形结构。5.根据权利要求4所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，步骤二为变加速雕刻的加工步骤；其中，检测沟槽(5)为下凹的弧形结构。6.根据权利要求5所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，检测沟槽(5)末端所在切面与抛光层(1)底面之间的夹角b≤80度。7.根据权利要求4所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，步骤二为变减速雕刻的加工步骤；其中，检测沟槽(5)为上凸的弧形结构。8.根据权利要求7所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法，其特征在于，检测沟槽(5)首端所在切面与抛光层(1)底面之间的夹角c≤80度。9.一种抛光层，其特征在于，抛光层(1)由权利要求1至权利要求8任意一项权利要求所述的检测窗抛光垫沟槽的加工方法加工而成。10.一种抛光垫，其特征在于，抛光垫至少包括抛光层(1)；其中，抛光层(1)为如权利要求9所述的抛光层(1)。2CN115837633A说明书1/8页检测窗抛光垫沟槽的加工方法、抛光层及抛光垫技术领域[0001]本发明涉及化学机械抛光领域，尤其是涉及检测窗抛光垫沟槽的加工方法、抛光层及抛光垫。背景技术[0002]半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，但90％以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路(UltraLargeScaleIntegratedcircuit，ULSI)都是以高纯优质的硅单晶抛光片和外延片为基础而制作在。目前，超大规模集成电路随着特征线宽的进一步微小化，对硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求，化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)被公认为是VLSI阶段最好的材料全局平坦化方法，该方法既可以获得较完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，已经基本取代了传统的热流法、旋转式玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法等技术。[0003]抛光垫是集成电路制造化学机械抛光工艺中不可或缺的抛光耗材。抛光垫在化学机械抛光中的主要作用就是承载研磨液并使研磨液分布均匀，同时抛光垫与抛光晶圆表面有机械摩擦力，从而去除晶圆表面多余层达到晶圆表面平坦化的目的。[0004]在化学机械抛光工艺中，有些抛光工艺要求抛光垫带透明检测检测窗口。带透明检测窗口的抛光垫配合抛光设备中的终点光学检测系统，可以快速