半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103563069103563069A(43)申请公布日2014.02.05(21)申请号201280026103.4代理人李国华(22)申请日2012.06.11(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L21/8238(2006.01)2011-1307312011.06.10JPH01L21/28(2006.01)H01L21/336(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L27/08(2006.01)2013.11.28H01L27/092(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L29/417(2006.01)PCT/JP2012/0037842012.06.11H01L29/78(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L29/786(2006.01)WO2012/169212JA2012.12.13(71)申请人住友化学株式会社地址日本东京都申请人国立大学法人东京大学独立行政法人产业技术综合研究所(72)发明人秦雅彦山田永横山正史金相贤张睿竹中充高木信一安田哲二(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021权权利要求书3页利要求书3页说明书10页说明书10页附图10页附图10页(54)发明名称半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法(57)摘要提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。CN103563069ACN103569ACN103563069A权利要求书1/3页1.一种半导体器件，包括：基底基板，由Ge晶体构成；半导体晶体层，位于所述基底基板的一部分区域的上方，由III-V族化合物半导体构成；P沟道型MISFET，以以上方没有所述半导体晶体层的所述基底基板区域的一部分作为沟道，并具有第一源极及第一漏极；以及N沟道型MISFET，以所述半导体晶体层的一部分作为沟道，并具有第二源极及第二漏极，所述第一源极及所述第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或者Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，所述第二源极及所述第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或者III族原子及V族原子、与镍原子和钴原子的化合物构成。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括：隔离层，位于所述基底基板与所述半导体晶体层之间，用于将所述基底基板与所述半导体晶体层电隔离。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述基底基板与所述隔离层相接触，所述基底基板的与所述隔离层相接触的区域具有导电性，对所述基底基板的与所述隔离层相接触的区域施加的电压作为作用于所述N沟道型MISFET的背栅电压而起作用。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基底基板与所述半导体晶体层在粘接面处相接触，在所述粘接面附近的所述基底基板的区域，含有表现出p型或n型导电类型的杂质原子，在所述粘接面附近的所述半导体晶体层的区域，含有表现出与所述基底基板含有的杂质原子所表现出的导电类型不同的导电类型的杂质原子。5.一种半导体基板，用于权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体基板具有所述基底基板及所述半导体晶体层，所述半导体晶体层位于所述基底基板的部分表面的上方。6.根据权利要求5所述的半导体基板，其中，所述半导体基板还具有：隔离层，位于所述基底基板与所述半导体晶体层之间，用于将所述基底基板与所述半导体晶体层电隔离。7.根据权利要求6所述的半导体基板，其中，所述隔离层由非晶质绝缘体构成。8.根据权利要求6所述的半导体基板，其中，所述隔离层由具有比构成所述半导体晶体层的半导体晶体的禁带宽度更大的禁带宽度的半导体晶体构成。9.根据权利要求5所述的半导体基板，其中，2CN103563069A权利要求书2/3页所述基底基板与所述半导体晶体层在粘接面处相接触，在所述粘接面附近的所述基底基板的区域，含有表现出p型或n型导电类型的杂质原子，在所述粘接面附近的所述半导体晶体层的区域，含有表现出与所述基底基板含有的杂质原子所表现出的导电类型不同的导电类型的杂质原子。10.根据权利要求5