一种多晶硅监控方法、装置及相关设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775229A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211425068.5G06V10/74(2006.01)(22)申请日2022.11.14G06V10/75(2006.01)G06V10/94(2022.01)(71)申请人新特能源股份有限公司H04N7/18(2022.01)地址831500新疆维吾尔自治区乌鲁木齐G08B21/18(2022.01)市甘泉堡经济技术开发区（工业园）众G08B21/24(2022.01)欣街2249号申请人新特硅基新材料有限公司(72)发明人银波刘兴平侯雨刘丹丹宋亚博(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师汤明明(51)Int.Cl.G06T7/00(2017.01)G06V20/52(2006.01)权利要求书4页说明书23页附图4页(54)发明名称一种多晶硅监控方法、装置及相关设备(57)摘要本申请提供一种多晶硅监控方法、装置及相关设备，其中，所述方法包括：获取反应炉的监控图像；对所述监控图像进行图像分析，获得分析结果；在所述分析结果满足报警条件的情况下，输出报警信息；所述报警条件包括黑斑区域的数目参数大于或等于第一阈值；黑斑区域的面积参数大于或等于第二阈值；所述监控图像对应的第一相似参数小于或等于第三阈值；所述监控图像包括的高亮像素点位于预设区间内中的至少一项。通过图像区域监测、图像相似度比较以及图像像素值监测等方式，对硅棒生产过程中的硅棒黑斑、反应炉雾化以及硅棒亮点等问题进行量化监控，以在硅棒生长异常时发出警报，降低不合格硅棒的产出率，提升硅棒所获得的监控效果。CN115775229ACN115775229A权利要求书1/4页1.一种多晶硅监控方法，其特征在于，所述方法包括：获取反应炉的监控图像；对所述监控图像进行图像分析，获得分析结果；在所述分析结果满足报警条件的情况下，输出报警信息；其中，所述报警条件包括以下至少一项：所述监控图像中黑斑区域的数目参数大于或等于第一阈值；所述监控图像中黑斑区域的面积参数大于或等于第二阈值；所述监控图像对应的第一相似参数小于或等于第三阈值，所述第一相似参数用于表征所述监控图像和基准图像之间的图像相似度，所述基准图像为所述反应炉内在无雾化的状态下采集的图像；所述监控图像包括的高亮像素点位于预设区间内，所述预设区间用于表征第一位置在所述监控图像内对应的像素区间，所述第一位置为所述反应炉内用于放置硅棒的位置，所述高亮像素点为所述监控图像中对应像素值大于像素阈值的像素点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述监控图像进行图像分析，获得分析结果，包括：对所述监控图像进行灰度化处理，获得灰度图像；对所述灰度图像包括的硅棒图像进行连通域分析，确定所述硅棒图像包括的至少一个黑斑图块；根据所述至少一个黑斑图块，确定所述监控图像中黑斑区域的数目参数和所述监控图像中黑斑区域的面积参数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述反应炉内的参照设备在当前时刻发出的基准光信号进行检测，获得检测信号数据；根据所述检测信号数据与所述基准光信号对应的基准信号数据之间的差异，确定光衰参数，其中，所述光衰参数用于表征所述基准光信号的光能量衰减幅度；在所述光衰参数大于或等于光衰阈值的情况下，生成雾化信息。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述生成雾化信息之后，所述方法还包括：根据所述光衰参数和预设置的转换系数，确定调整参数；根据所述调整参数，对所述反应炉的输入原料的输入量进行调整。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述调整参数，对所述反应炉的输入原料的输入量进行调整之后，所述方法还包括：获取所述参照设备在第一检测时刻发出的基准光信号对应的第一光衰值、以及所述参照设备在第二检测时刻发出的基准光信号对应的第二光衰值；将所述第一光衰值和所述第二光衰值之间的差值确定为光衰变化参数；在所述光衰变化参数小于或等于变化阈值的情况下，生成雾化警报，所述雾化警报用于指示所述反应炉的位置。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述反应炉内的参照设备在当前时刻发出的基准光信号进行检测，获得检测信号数据之前，所述方法还包括：对所述参照设备在初始时刻发出的基准光信号的进行检测，得到测试信号数据，所述2CN115775229A权利要求书2/4页初始时刻为所述反应炉的启动时刻；根据所述测试信号数据对所述基准信号数据进行更新。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述反应炉内的参照设备在当前时刻发出的基准光信号进行检测，获得检测信号数据之前，所述方法还包括：向所述参照设备发送检测指令，以使所述参照设备基于所述检测指令发出所