一种晶体生长炉和控温方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115637487A(43)申请公布日2023.01.24(21)申请号202211280195.0(22)申请日2022.10.19(71)申请人浙江晶盛机电股份有限公司地址312300浙江省绍兴市上虞区通江西路218号(72)发明人曹建伟朱亮傅林坚高宇叶钢飞(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称一种晶体生长炉和控温方法(57)摘要本发明提供了一种晶体生长炉和控温方法，属于晶棒相关技术领域，用于拉制晶棒，包括：导流筒，所述导流筒中间具有一上下贯通的容置空间；水冷热屏，水冷热屏包括：第一水冷组件，所述第一水冷组件设置在导流筒的容置空间中，所述第一水冷组件中间具有一容置晶棒的第一冷却空间；第二水冷组件，所述第二水冷组件设置在导流筒的容置空间中，所述第二水冷组件中间具有一容置晶棒的第二冷却空间；所述第二水冷组件相对于第一水冷组件可运动，且第二水冷组件可置于第一冷却空间中；达到水冷热屏的参数可调的技术效果。CN115637487ACN115637487A权利要求书1/1页1.一种晶体生长炉，用于拉制晶棒，其特征在于，包括：导流筒，所述导流筒中间具有一上下贯通的容置空间；水冷热屏，水冷热屏包括：第一水冷组件，所述第一水冷组件设置在导流筒的容置空间中，所述第一水冷组件中间具有一容置晶棒的第一冷却空间；第二水冷组件，所述第二水冷组件设置在导流筒的容置空间中，所述第二水冷组件中间具有一容置晶棒的第二冷却空间；所述第二水冷组件相对于第一水冷组件可运动，且第二水冷组件可置于第一冷却空间中；其中，所述第二水冷组件相对于第一水冷组件具有两种状态，在第一状态下，所述第二水冷组件位于第一水冷组件的上方/下方，所述第二冷却空间和第一冷却空间分别作用在一晶棒的不同区域上；在第二状态下，所述第二水冷组件局部/全部位于第一水冷组件的第一冷却空间中，所述第二冷却空间和第一冷却空间叠加作用在一晶棒上。2.如权利要求1所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述导流筒为一组合体，所述导流筒包括外壁部、内壁部以及底壁部；其中，所述容置空间位于内壁部的内部，且内壁部和外壁部之间存在间隙。3.如权利要求1所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述第二冷却空间的冷却高度范围小于所述第二冷却空间的冷却高度范围，所述第二水冷组件可全部位于第一水冷组件的内部，以改变第一水冷组件局部的温度梯度。4.如权利要求1所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述第一水冷组件包括第一水冷管，所述第一水冷管以第一间隙排布；所述第二水冷组件包括第二水冷管，所述第二水冷管以第二间隙排布；其中，第一间隙大于等于第二间隙。5.如权利要求4所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉还包括：隔板，所述隔板为一环绕体，所述隔板设置在第一水冷组件和第二水冷组件之间，且所述隔板和第一水冷组件的第一水冷管贴合设置，通过隔板使得晶棒的热量传递到第一水冷组件上。6.如权利要求5所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述隔板架设/固定在导流筒上，且通过隔板使得第一水冷组件和导流筒固定成一体。7.如权利要求1所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述第一水冷组件和第二水冷组件中的水冷方向具体为双向往复循环，且第一水冷组件的水冷方向和第二水冷组件的水冷方向错开。8.如权利要求1所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述第一水冷组件和第二水冷组件中的水冷方向均为单向，且第一水冷组件的水冷方向和第二水冷组件的水冷方向错开。9.如权利要求1所述的一种晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉中具有一温度传感器，所述温度传感器检测水冷热屏的温度。10.一种控温方法，其特征在于，适用在具有第一水冷组件和第二水冷组件的晶体生长炉上，且第二水冷组件相对于第一水冷组件可运动；包括：调整第一水冷组件和/或第二水冷组件中冷却水的流量；调整第一水冷组件和第二水冷组件之间的相对位置关系。2CN115637487A说明书1/6页一种晶体生长炉和控温方法技术领域[0001]本发明涉及晶体生长炉相关技术领域，尤其涉及一种晶体生长炉和控温方法。背景技术[0002]晶体生长炉的研发迭代需要不断的参数调整并进行实测，来建立各项参数对晶体生长影响的模型。扩大研发过程中晶体生长炉的参数可调整范围，有利于建立范围更大的数学模型，有益于从中发现晶体生长的合适参数和配合该合适参数的结构。[0003]具体，在对水冷热屏的研发上，将水冷热屏的冷却速度、水冷热屏的温度梯度设计为可调，有利于获得更多/更准确的实测数据。[0004]所以，现有技术的技术问题在于：如何使得水冷热屏的参数可调。发明内容[00