一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109971922A(43)申请公布日2019.07.05(21)申请号201910396969.8(22)申请日2019.05.14(71)申请人浙江晶芯磁业有限公司地址314001浙江省嘉兴市南湖区大桥镇中环南路北4号厂房一楼东南侧(72)发明人罗雪辉姜隽(74)专利代理机构浙江永鼎律师事务所33233代理人陆永强(51)Int.Cl.C21D1/04(2006.01)C21D1/26(2006.01)C21D1/74(2006.01)C21D9/00(2006.01)H01F1/153(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺(57)摘要本发明提出了一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，工艺步骤为：将待处理的纳米晶磁芯放置在料架上，然后放入磁场退火炉中并通入混合保护气体；磁场退火炉先对料架上的纳米晶磁芯进行预热处理到400℃～500℃，加入纵向磁场同时温度继续上升至500℃～600℃，纳米晶磁芯在500℃～600℃的晶化状态下进行纵磁处理；将纵磁处理后的纳米晶磁芯冷却至400℃～500℃，加入横向磁场同时温度继续冷却300℃～400℃，纳米晶磁芯在300℃～400℃低温保温条件下横磁处理；将经横磁处理的纳米晶磁芯自然降温到180℃～200℃，然后出炉并冷却至室温。CN109971922ACN109971922A权利要求书1/1页1.一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将待处理的纳米晶磁芯放置在料架上，然后将料架放入磁场退火炉中并通入混合保护气体；(2)磁场退火炉先对料架上的纳米晶磁芯进行预热处理，温度达到400℃～500℃，加入纵向磁场同时温度继续上升至500℃～600℃，纳米晶磁芯在500℃～600℃的晶化状态下进行纵磁处理3～6H；(3)将经步骤(2)中纵磁处理后的纳米晶磁芯冷却至400℃～500℃，加入横向磁场同时温度继续冷却300℃～400℃，纳米晶磁芯在300℃～400℃低温保温条件下横磁处理30min～1H；(4)将经步骤(3)中横磁处理的纳米晶磁芯自然降温到180℃～200℃，然后出炉并冷却至室温。(5)通过磁滞回线测试仪测试经步骤(4)处理过后的纳米晶磁芯的初始磁导率。2.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，其特征在于：所述步骤(3)所加横向磁场的磁场强度为500Gs～1000Gs。3.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，其特征在于：所述料架上设有产生纵向磁场的导电柱，所述导电柱通电产生纵磁场，所述导电柱所通入电流35～50A；所述磁场退火炉外部设有产生横向磁场的线圈，所述线圈通电产生横磁场。4.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，其特征在于：经该工艺处理后的纳米晶磁芯矫顽力0.5～1A/m。2CN109971922A说明书1/4页一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺技术领域[0001]本发明及纳米晶磁芯磁场的加工技术，具体是一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺。背景技术[0002]目前，在纳米晶磁芯热处理领域，通过调节热处理设备的磁场对纳米晶磁芯的导磁性能调整已经是一个众所周知的方法。非晶态软磁合金的退火方式有常规退火和磁场退火两种，磁场退火又分为横向磁场退火和纵向磁场退火。现有技术中的热处理设备的加磁退火工艺较为单一，横磁退火和纵磁退火中，只能取其一种。对于需要做两种磁场退火的磁芯来说，只能分别经过两种磁场退火炉退火，生产工艺繁琐，磁芯的初始磁导率难以提高，为达到客户对产品磁特性的特定上下值范围，往往还需要二次回炉处理，效率低下。另外，由于现有的退火炉结构设计的限制，单次加热磁芯的容量都比较有限，从而制约纳米晶磁芯的产能。且每次对磁芯的放取及对退火炉维护时都需要对相应的炉盖、保温层等部件进行拆卸，费时费力，保温层拆卸后将不能再次使用，使得维护成本高昂。发明内容[0003]本发明的目的在于克服现有技术中存在的上述不足，而提供一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，本发明使纳米晶磁芯材料的最大磁导率基于可接受的情况下，初始磁导率提升15％～35％，从而有效实项磁滞回线整体斜率的数值变化，可满足对整体磁导率要求极高的特种传感器应用要求。[0004]本发明解决上述问题所采用的技术方案是：本发明的一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺，其特征在于，包括以下步骤：[0005](1)将待处理的纳米晶磁芯放置在料架上，然后将料架放入磁场退火炉中并通入混合保护气体；[0006](2)磁场退火炉先对料架上的纳米晶磁芯进行预热处理，温度达到400℃～500℃，加入纵向磁场同时温度继续上升至500℃～600℃，