一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114227525A(43)申请公布日2022.03.25(21)申请号202111607221.1B24B37/34(2012.01)(22)申请日2021.12.24H01L21/02(2006.01)H01L21/66(2006.01)(71)申请人济南晶正电子科技有限公司地址250100山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806(72)发明人刘桂银胡文张秀全王金翠(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363代理人逯长明许伟群(51)Int.Cl.B24B37/10(2012.01)B24B37/005(2012.01)B24B49/00(2012.01)B24B49/16(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法(57)摘要本发明公开了一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法，包括：保持抛光头不同位置的压力值相同，对待抛光晶圆表面进行第一次抛光处理，得到第一抛光晶圆；对第一抛光晶圆的表面进行厚度测量，得到第一抛光晶圆的整体厚度分布数据；通过第一抛光晶圆的整体厚度分布数据，提取第一抛光晶圆中局部厚度较大的区域作为修正区；通过第一抛光晶圆的修正区设置对应的修正垫，修正垫设置于第一抛光晶圆的修正区对应的第一抛光晶圆的背表面上，或设置于对应的所述抛光头中的气囊膜上；保持抛光头不同位置的压力值相同，对第一抛光晶圆进行第二次抛光处理，得到满足合格标准的目标晶圆。CN114227525ACN114227525A权利要求书1/1页1.一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法，其特征在于，包括：保持抛光头不同位置的压力值相同，对待抛光晶圆表面进行第一次抛光处理，得到第一抛光晶圆；对所述第一抛光晶圆的表面进行厚度测量，得到所述第一抛光晶圆的整体厚度分布数据；通过所述第一抛光晶圆的整体厚度分布数据，提取所述第一抛光晶圆中局部厚度较大的区域作为修正区；通过所述第一抛光晶圆的修正区设置对应的修正垫，所述修正垫设置于所述第一抛光晶圆的修正区对应的所述第一抛光晶圆的背表面上，或设置于对应的所述抛光头中的气囊膜上；保持所述抛光头不同位置的压力值相同，对所述第一抛光晶圆进行第二次抛光处理，得到满足合格标准的目标晶圆；所述第一次抛光处理时所述抛光头的压力值与所述第二次抛光处理时所述抛光头的压力值相同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标晶圆的合格标准具体为：获取所述第二次抛光处理后的晶圆的整体厚度分布数据，所述整体厚度分布数据的平均厚度数据在设定偏差范围内则所述晶圆为满足合格标准的所述目标晶圆。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一抛光晶圆的厚度大于所述目标晶圆的厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待抛光晶圆包括晶圆抛光面和与所述晶圆抛光面对应的晶圆背表面；所述晶圆抛光面与抛光垫接触，所述晶圆背表面与所述抛光头的气囊膜接触。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修正垫的材质为硬质塑料，所述硬质塑料的厚度范围为：500μm‑2mm。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一抛光晶圆的整体厚度分布数据的测量点大于17个，且所述测量点均匀分布在所述第一抛光晶圆的表面；所述第二次抛光处理后的晶圆的整体厚度分布数据的测量点与所述第一抛光晶圆的整体厚度分布数据的测量点数目相同。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对待抛光晶圆表面进行第一次抛光处理以及对所述第一抛光晶圆进行第二次抛光处理时，所述抛光头的抛光压力设定为70‑340g/cm2。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对待抛光晶圆表面进行第一次抛光处理以及对所述第一抛光晶圆进行第二次抛光处理时，所述抛光头转速设定为70‑100rpm/min，抛光台转速为70‑100rpm/min，所述抛光头转速与所述抛光台转速之比为0.8‑1。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对待抛光晶圆表面进行第一次抛光处理以及对所述第一抛光晶圆进行第二次抛光处理时，所述待抛光晶圆或所述第一抛光晶圆的抛光去除量为10nm‑3μm。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修正垫的形状根据所述修正区的形状决定。2CN114227525A说明书1/7页一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法技术领域[0001]本申请属于半导体生产加工技术领域，尤其涉及一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法。背景技术[0002]化学机械抛光(Chemical‑MechanicalPolishing，CMP)是利用化学腐蚀和机械力对加工过程中的晶圆表面进行平滑处理的工艺。[0003]传统的化学机械抛光是将晶圆由旋转的抛光头夹持，并将其以一定压