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2024-08-17
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南京电子技术研究所李宇超
第页共NUMPAGES5页
脉冲函数点配法求直导体电容
姓名:李宇超
一、已知条件:任意长度L的导体,半径a(a<<L),电位,
二、求解:导体表面电荷分布、导体电容C
三、求解过程:
1.给定导体图形如图1.1

图1.1待分析导线
2.导体表面电荷分布
此处分析了长度L=3m、半径a=0.01m、分段N=10的长直导线面电荷分布。


图1.2待分析导线分段示意图
分段2中心点电荷

图1.3不同分段上的电荷分布图
3.导体电容分别随导体长度、半径变化。
(1)N=20、a=0.01m导体电容C随长度L变化。L=3m时,C=31.59pF。
31.59pF

图1.4导体电容随长度变化曲线
(2)N=20、L=3m导体电容C随半径a变化。A=0.01时,C=31.59pF。
31.59pF

图1.5导体电容随半径变化曲线

四、结论
通过本次作业得到以下结论:
1.导体表面电荷分布以中心轴对称,两端电荷积累多,中间电荷积累少;
2.在固定导体半径时,导体电容随导体长度线性增加;
3.在固定导体长度时,导体电容随导体半径增加;
4.固定导体长度、半径,增加分段数只会改变导体电容值的精度,减小误差,不会有太大影响。
五、源代码
1.电荷密度分析
%********************************************************************
%****电荷分布分析作者:李宇超
%********************************************************************
clear;%清理内存
L=3;%长度为3m
N=10;%分段数20
dL=L/N;
a=0.01;%半径
t=4*pi*1e-9/(36*pi);%固定参数4πε

forn=1:N
form=1:N
if(n==m)%对角线元素计算
S(n,n)=(1/t)*log((0.5*dL+sqrt((0.5*dL).^2+a^2))/(-0.5*dL+sqrt((0.5*dL).^2+a^2)));
else%非对角元素计算
S(n,m)=(1/t)/abs(m-n);
end
end
end
A=S\ones(N,1);

fori=1:N%完成阶跃图形
ifi==1
tao(1:(50/2))=A(i);
else
tao((50*i-75)+1:50*i)=A(i);
end
end;
C=sum(A)*dL*1e12;
dN=1:10;%用于下面画图
plot(dN,A','-*');holdon;
x=1:(20/999):N+1;
plot(x,tao,'-g');
axis([1,10,0.95e-11,1.25e-11]);
xlabel('Sectionsofthewire/m'),ylabel('Chargedensitydistributiontao');
title('Thelinechargedenstiydistribution');
gridon;
holdoff;

2.导体电容随长度变化分析
%**************************************************************************
%****直导线电容随长度变化分析作者:李宇超
%**************************************************************************
clear;clc;%清理内存
L=0.5:0.5:10;%分别分析长度为1到10m的导体电线(按0.5m增加)
N=20;%分段数10段
dL=L./N;
a=0.01;%半径
t=4*pi*1e-9/(36*pi);%固定参数4πε

forp=1:20%每一个导线用一页来存储
forn=1:N
form=1:N
if(n==m)%对角线元素计算
S(n,n,p)=(1/t)*log((0.5*dL(p)+sqrt((0.5*dL(p)).^2+a^2))/(-0.5*dL(p)+sqrt((0.5*dL(p)).^2+a^2)));
else%非对角元素计算
S(n,m,p)=(1/t)/abs(m-n);
end
end
end
A(:,p)=S(:,:,p)\ones(N,1);
end
tao=sum(A);%tao为电荷分布
C=tao.*dL*1e12;
plot(L,C,'-*');
xlabel('thelengthofthewire/m'),ylabel('thecapacitanceofthewire/pF');
title('Capacitancevi
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