led照明灯具的详细参数.doc

led照明灯具的具体参数
LED是操纵化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学本性：I-V本性、C-V本性和光学本性：光谱响应本性、发光光强指向本性、时间本性以及热学本性。
1、LED电学本性
1.1I-V本性表征LED芯片pn结制备遵从首要参数。LED的I-V本性具有非线性、整流本质：单导游电性，即外加正偏压表示低交兵电阻，反之为高交兵电阻。
(1)正向死区：(图oa或oa′段)a点对付V0为关闭电压，当V
(2)正向任务区：电流IF和外加电压呈指数干连
IF=IS(eqVF/KT–1)-------------------------IS为反向饱和电流。
V>0时，V>VF的正向任务区IF随VF指数上升IF=ISeqVF/KT
(3)反向死区：V<0时pn结加反偏压
V=-VR时，反向漏电流IR(V=-5V)时，GaP为0V，GaN为10uA。
(4)反向击穿区V<-VR，VR喻为反向击穿电压;VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压不停增进使V<-VR时，则泛起IR俄然增进而泛起击穿现象。由于所用化合物材料种别差距，各种LED的反向击穿电压VR也差距。
1.2C-V本性
鉴于LED的芯片有9×9mil(250×250um)，10×10mil，11×11mil(280×280um)，12×12mil(300×300um)，故pn结面积大小纷歧，使其结电容(零偏压)C≈n+pf支配。
C-V本性呈二次函数干连(如图2)。由1MHZ交流信号用C-V本性测试仪测得。
1.3最大允许功耗PFm
当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率损耗为P=UF×IF
LED任务时，外加偏压、偏流未必促使载流子复合分发光，还有一一部分变为热，使结温上涨。若结温为Tj、外部状况温度为Ta，则当Tj>Ta时，内情热量借助管座向外传热，闲逸热量(功率)，可表示为P=KT(Tj–Ta)。
1.4响合时间
响合时间表征某一表示器跟踪外部动态变卦的快慢。现有几种表示LCD(液晶表示)约10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都达到10-6~10-7S(us级)。
①响合时间从使用角度来看，就是LED点亮和燃烧所拖延的时间，即图中tr、tf。图中t0值很小，可忽略。
②响合时间首要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。
LED的点亮时间——上升时间tr是指接通电源使发亮光度达到畸形的10%开始，不停到发亮光度达到畸形值的90%所经历的时间。
LED燃烧时间——降落时间tf是匡畸形发光减弱至副本的10%所经历的时间。
差距材料制得的LED响合时间各不同样;如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响合时间<10-9S，GaP为10-7S。是以它们可用在10~100MHZ高频体系。
2、LED光学本性
发光二极管有红外(非可见)和可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来量度其光学本性。
2.1发光法向光强及其角分布Iθ
2.1.1发光强度(法向光强)是表征发光器件发光强弱的紧要遵从。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的感化，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其和程度面交角为90°。当偏离处死向差距θ角度，光强也随之变卦。发光强度随着差距封装形态而强度交付角方向。
2.1.2发光强度的角分布Iθ是刻画LED发光在空间各个方向上光强分布。它首要取决于封装的工艺(包含支架、模粒头、环氧树脂中增长散射剂和否)
⑴为获得高指向性的角分布(如图1)
①LED管芯位子离模粒头远些;
②使用圆锥状(枪弹头)的模粒头;
③封装的环氧树脂中勿加散射剂。
采用上述措施可使LED2θ1/2=6°支配，大大进步了指向性。
⑵当前几种常用封装的散射角(2θ1/2角)圆形LED：5°、10°、30°、45°
2.2发光峰值波长及其光谱分布
⑴LED发光强度或光功率输入随着波长变卦而差距，绘成一条分布曲线——光谱分布曲线。当此曲线必定往日，器件的无关主波长、纯度等干系色度学参数亦随之而定。
LED的光谱分布和制备所用化合物半导体种别、本质及pn结布局(外延层厚度、搀和杂质)等无关，而和器件的许多多少形态、封装方式无关。
LED光谱分布曲线
1蓝光InGaN/GaN2绿光GaP:N3红光GaP:Zn-O
4红外GaAs5Si光敏光电管6规范钨丝灯
①是蓝色InGaN/GaN发光二极管，发光谱峰λp=460～465nm;
②是绿色GaP:N的LED，发光谱峰λp=550nm;
③是红色GaP:Zn-O的LED，发光谱峰λp=680～700nm;
④是红外LED使用GaAs材料，发光谱峰λp=910nm;
⑤是Si光电二极管，一般作光电接收用。
不管甚么材料制成的LED，都有一个相对光强度最强处(光输入最大)，和之相对应有一个波长，此波长叫峰值波