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IC设计专有中英文名词
IC设计专有中英文名词0Abruptjunction突变结Acceleratedtesting加速实验Acceptor受主Acceptoratom受主原子Accumulation积累、堆积Accumulatingcontact积累接触Accumulationregion积累区Accumulationlayer积累层Activeregion有源区Activecomponent有源元Activedevice有源器件Activation激活Activationenergy激活能Activeregion有源(放大)区Admittance导纳Allowedband允带Alloy-junctiondevice合金结器件Aluminum(Aluminium)铝Aluminum–oxide铝氧化物Aluminumpassivation铝钝化Ambipolar双极的Ambienttemperature环境温度Amorphous无定形的,非晶体的Amplifier功放扩音器放大器Analogue(Analog)comparator模拟比较器Angstrom埃Anneal退火Anisotropic各向异性的Anode阳极Arsenic(AS)砷Auger俄歇Augerprocess俄歇过程Avalanche雪崩Avalanchebreakdown雪崩击穿Avalancheexcitation雪崩激发Backgroundcarrier本底载流子Backgrounddoping本底掺杂Backward反向Backwardbias反向偏置Ballastingresistor整流电阻Ballbond球形键合Band能带Bandgap能带间隙Barrier势垒Barrierlayer势垒层Barrierwidth势垒宽度Base基极Basecontact基区接触Basestretching基区扩展效应Basetransittime基区渡越时间Basetransportefficiency基区输运系数Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带Blockingcontact阻挡接触Body-centered体心立方Body-centredcubicstructure体立心结构Boltzmann波尔兹曼Bond键、键合Bondingelectron价电子Bondingpad键合点Bootstrapcircuit自举电路Bootstrappedemitterfollower自举射极跟随器Boron硼Borosilicateglass硼硅玻璃Boundarycondition边界条件Boundelectron束缚电子Breadboard模拟板、实验板Breakdown击穿Breakover转折Brillouin布里渊Brillouinzone布里渊区Built-in内建的Build-inelectricfield内建电场Bulk体/体内Bulkabsorption体吸收Bulkgeneration体产生Bulkrecombination体复合Burn-in老化Burnout烧毁Buriedchannel埋沟Burieddiffusionregion隐埋扩散区
Can外壳Capacitance电容Capturecrosssection俘获截面Capturecarrier俘获载流子Carrier载流子、载波Carrybit进位位Carry-inbit进位输入Carry-outbit进位输出Cascade级联Case管壳Cathode阴极Center中心Ceramic陶瓷(的)Channel沟道Channelbreakdown沟道击穿Channelcurrent沟道电流Channeldoping沟道掺杂Channelshortening沟道缩短Channelwidth沟道宽度Characteristicimpedance特征阻抗Charge电荷、充电Charge-compensationeffects电荷补偿效应Chargeconservation电荷守恒Chargeneutralitycondition电中性条件Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmicaletching化学腐蚀法Chemically-Polish化学抛光Chemmic
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