PN结的形成及特性.com.ppt

1.1.3PN结的形成及特性扩散运动
复合
多子浓度下降
正、负离子区
空间电荷区（电位差）
内电场（方向及大小）在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:二、PN结的单向导电性1.PN结加正向电压时的导电情况2.PN结加反向电压时的导电情况PN结的伏安特性PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。三、PN结的电流方程四、PN结的伏安特性齐纳击穿：高参杂，耗尽层窄，低反向（击穿）电压，
激发价电子（拉出），产生电子空穴对，反
向电流增大。
雪崩击穿：低掺杂，耗尽层宽，高反向（击穿）电压，
碰撞价电子（撞出），产生电子空穴对，多
次重复，反向电流增大。PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。
一是势垒电容Cb，
二是扩散电容Cd。1.势垒电容CbPN结正偏时，由N区扩散到P区的电子（非平衡少子），与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，到远离交界面处，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，正向（扩散）电流增大。扩散电容示意图P区（非平衡）少子浓度分布曲线