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CMOS工艺和器件Part1超大规模集成电路设计导论CMOS工艺与器件半导体及其导电能力P型和N型半导体MOS管n+MetalCMOSCMOSCMOSCMOS工艺与器件CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(1)CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(2)CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(3)CMOS工艺(双阱)步骤示意CMOSProcesssteps(4)制造:制版与光刻(1)制造:制版与光刻(2)光刻系统CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(1)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(2)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(2)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(3)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(4)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(5)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(6)CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(7)N阱CMOS工艺详细制造步骤(8)p-阱N阱CMOS工艺详细制造步骤(9)aCMOSInverter:剖面图及版图(俯视图)aCMOSInverter:剖面图及版图(俯视图)CMOS工艺与器件MOS管的电性能MOSFET的栅极电压与沟道(1)电压与沟道(2)漏极电流-电压关系(1)漏极电流-电压关系(2)饱和区电流:MOSFET沟道长度调制效益的影响MOSFET的阈值电压阈值电压:MOSFET衬底偏置效应的影响MOSFET的泄漏电流MOS管的电性能栅极电容栅与源、漏极间的寄生电容源、漏极的扩散区电容MOS管的电性能Spice仿真的MOSFET模型Spice仿真的MOSFET模型参数MOS工艺与器件连线连线(包括过孔)过孔连线的寄生电容(1):线电容连线的寄生电容(2):耦合电容连线电阻金属线的金属电迁移金属线的趋肤效应(Skineffect)(1)金属线的趋肤效应(Skineffect)(2)CMOS器件与工艺版图设计的概念(1)版图设计的概念(2)为什么需要版图设计规则版图设计规则(DesignRule)宽度规则间距规则覆盖与露头规则覆盖规则之对于过孔示例:设计规则Summary

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