场效应管及其放大电路.pptx

第三章场效应管及其放大电路第三章场效应管及其放大电路一.场效应管的分类1.基本结构
图3.1是N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图。利用栅源电压uGS的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流iD的大小。
分析：主要讨论uGS对iD的控制作用。
(1)当uGS=0时(见图3.2a),不论所加电压uDS的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，则漏极电流iD≈0。
(2)当栅源极之间加正向电压uGS(见图3.2b)，(3)当栅极与源极之间加正向电压uGS≥UT时(见图3.2c)，被吸到表面层中的自由电子较多，填补空穴后还有剩余，在表面层中形成一个N型层，通常称为反型层；它就是沟通源区和漏区的N型导电沟道。形成导电沟道后，在漏极电源uDS的作用下，将产生漏极电流iD，MOS管即导通。场效应管是利用场效应原理工作的。(4)形成反型层的导电沟道后，uGS正值愈高，导电沟道愈宽，即
改变uGS→改变沟道宽度→改变iD
uGS↑↓→沟道宽度↑↓→iD↑↓
综述：当0＜uGS＜UT时，漏、源极间沟道尚未联通，iD≈0；当uGS≥UT时，随uGS变化iD随之变化。达到uGS对iD的控制，故称MOS管为电压控制元件。大家学习辛苦了，还是要坚持3.特性曲线输出特性曲线见图3.3(b)(1)开启电压UT
表述：在一定的漏源电压UDS作用下，使管子由截止变为导通的临界栅源电压uGS，称为开启电压UT。
表达式：(3)饱和漏极电流IDSS
表述：在一定的漏源电压uDS(通常为10V)作用下，当uGS=0时的漏极电流，称为饱和漏极电流IDSS。
表达式：1.基本结构
图3.5是N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正离子，在它的作用下，即使uGS=0时，在两个N型区之间形成原始N型导电沟道。2.工作原理
1)在uDS为常数的条件下，当uGS=0时，漏源极间已导通，iD≠0；
2)在uDS为常数，uGS＞0时，沟道变宽，iD↑；
3)在uDS为常数，uGS＜0时，沟道变窄，iD↓；
4)当uGS达到一定负值时，沟道被夹断，iD≈0；MOS管截止，UGS值称为夹断电压。3.特性曲线如图3.6所示(1)输入端:
由于场效应管是利用场效应原理工作的，不向信号源取用电流，故输入端呈开路状态。
(2)输出端:由伏安特性可知图3.4FET的微变等效电路及高频模型3.2场效应管放大电路二.静态分析由图3.9得其分压式场效应管放大电路的交流通路和微变等效电路，如图3.10和图3.111.放大电路的放大倍数