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硅基铜薄膜制备及其激光冲击改性研究的任务书
任务书
一、课题研究背景与目的：
硅基铜薄膜具有良好的电学和热学性质，在微电子和纳米技术领域应用广泛。然而，在气相沉积技术制备硅基铜薄膜中，缩短热处理时间、减少工艺流程成为当前研究的主要目标。此外，激光冲击改性技术在制备薄膜中也被广泛应用。本课题将研究硅基铜薄膜制备及其激光冲击改性的相关工艺，探究其工艺优化、性能改善等方面的问题，为硅基铜薄膜在微电子和纳米技术领域的应用提供一定的理论及实践基础。
二、课题研究内容：
1.硅基铜薄膜的制备
2.硅基铜薄膜的物理化学性质分析
3.硅基铜薄膜的激光冲击改性
4.硅基铜薄膜的结构和电气性能分析
5.影响硅基铜薄膜制备及改性性能的主要因素及其作用机理研究
三、课题研究方法：
1.利用射频磁控溅射（RFsputtering）技术在硅基板上制备不同厚度的硅基铜薄膜。
2.采用X-射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等仪器对硅基铜薄膜的物理化学性质进行表征，探究硅基铜薄膜的组成和结构。
3.采用Nd：YAG激光器对硅基铜薄膜进行激光冲击改性，在不同激光功率和时间的条件下对硅基铜薄膜进行处理。
4.采用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等仪器对硅基铜薄膜的结构和电气性能进行表征，研究硅基铜薄膜的微观结构变化及电学性能的变化。
五、课题研究成果：
1.硅基铜薄膜制备及激光冲击改性的关键工艺参数，研究结果和技术路线。
2.硅基铜薄膜制备及激光冲击改性过程中，硅基铜薄膜的物理化学性质分析。
3.硅基铜薄膜激光冲击改性后，性能的现象与表现，分析其结构和电气性质的变化。
4.重点分析硅基铜薄膜制备和改性过程中主要影响因素的作用机理及其优化方案。
七、预期成果：
本课题旨在研究硅基铜薄膜的制备及其激光冲击改性技术，研究硅基铜薄膜的性能优化。预计将能够为硅基铜薄膜的制备和应用提供一定的理论基础和实验支撑，进一步推动硅基铜薄膜的研究和产业应用。同时，在技术的探究中积累形成一定的实验方法操作技能和实验经验，为今后的相关研究项目提供参考，对相关行业的发展和改进具有重要的推动作用。
八、主要参考文献：
1.Nakamura,N.,Ohkubo,T.,Hono,K.EpitaxialgrowthofCufilmsonoxidizedsiliconwithultralowsurfaceroughness.Appl.Phys.Lett.2004,85(17),3862-3864.
2.Shou,Z.,Zhang,L.,Li,G.,Jia,Y.MicrostructureandpropertiesofhighlyorientedCufilmsonsiliconsubstrates.Intermetallics2005,13(11-12),1255-1259.
3.Chen,H.G.,Lu,D.B.,Liu,F.,Zhang,M.B.PhasetransformationsofCuthinfilmsonSi(100)substratewithdifferentthickness.J.Phys.D:Appl.Phys.2005,38(1),41-51.
4.Liu,X.F.,Lin,D.,Xu,J.,Jin,X.M.,etal.FormationofcoppersilicideinCu/Sisystembyfemtosecondlaserpulseirradiation.Mater.Sci.Eng.A2008,489(1-2),347-352.
5.Dong,Y.,Chen,J.,Chen,Z.,Zhang,Y.,Li,G.FormationofPhaseChangeMaterialCu-TealloyThinFilmsbyRFMagnetronSputtering.Appl.Surf.Sci.2009,256(21),6418-6423.