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二维声子晶体负折射成像机理与特性研究的中期报告
本项目旨在研究二维声子晶体负折射成像的机理和特性，主要内容包括理论计算、实验制备和性能测试。
首先，我们进行了二维声子晶体的理论计算和模拟，采用有限元方法建立了声子晶体的模型，并进行了计算。通过改变晶体结构和材料参数等因素，得到了负折射效应的最佳条件，并进一步探究了负折射效应的机理。
接着，我们进行了实验制备。首先，使用电子束光刻技术在硅晶体上制备了二维声子晶体。然后，通过化学气相沉积法在声子晶体上沉积了InSb薄膜，形成了复合结构。最后，采用偏振显微镜和探针显微镜等技术对样品进行了表征和成像。
最后，我们对样品进行了性能测试。通过光学成像和偏振矢量扫描等实验方法，发现样品在可见光范围内具有明显的负折射效应。同时，还研究了样品的光学吸收特性、光学带隙和色散关系等重要参数。
综合以上研究结果，我们初步揭示了二维声子晶体负折射成像的机理和特性，并为此类材料的应用提供了重要的基础和依据。未来，我们将继续深入研究该领域的问题，并探索更广泛的应用场景。