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无结纳米线晶体管的电学模型及界面陷阱效应研究的开题报告
一、选题背景及意义
近年来，人们对于高性能、低功耗晶体管的需求不断增加，因此对晶体管尺寸的研究也越来越重要。目前，研究人员们开始关注纳米尺寸的晶体管，希望能够实现更高的性能和更低的功耗。相比于传统的晶体管，无结纳米线晶体管因其良好的电特性和结构特点备受关注。然而，由于其尺寸非常小，因此在制造、设计和性能方面都面临很大的挑战。因此，开展无结纳米线晶体管电学模型和界面陷阱效应研究具有非常重要的意义。
二、研究内容
本文的研究内容主要包括两个方面：无结纳米线晶体管的电学模型和界面陷阱效应。其中，电学模型的研究是针对无结纳米线晶体管的建模和仿真，目的是更好地理解无结纳米线晶体管的特性和工作机理。而界面陷阱效应的研究则是关注无结纳米线晶体管的制备和电学特性，以更好地改善其电学特性，提高其性能和稳定性。
1.无结纳米线晶体管电学模型
在无结纳米线晶体管的电学模型建立中，需要考虑多种因素。一个最基本的无结纳米线晶体管电学模型包括了不同物理因素之间的相互作用，例如载流子、微结构与表面状态的变化等。然而，这些不同的因素之间又有不同的相互作用，这使得无结纳米线晶体管电学模型的建立非常复杂。因此，本文将采用计算机仿真建立无结纳米线晶体管的电学模型。仿真模型将充分考虑晶体管结构、材料特性和参数设置等因素，并通过仿真实现对无结纳米线晶体管的特性和工作机理的进一步认识。
2.界面陷阱效应
界面陷阱效应是指表面状态对施加电场区域的能量分布、电流分布和电压特性方面的影响。具有不同电学性质的材料会使得界面上的能隙差异产生局部电场，从而形成能级分布。界面陷阱效应通常被认为是一个严重的问题，因为它会对晶体管的性能和稳定性产生很大的负面影响。因此，本文将实验性地研究无结纳米线晶体管制备过程中的表面状态，从而探究界面陷阱效应对无结纳米线晶体管电学特性的影响。
三、研究方法
本文的研究方法主要包括以下几步：
1.确定研究方向和目标
在确定研究方向和目标之后，我们将会进行前期的文献阅读和理论学习，以更好地了解无结纳米线晶体管电学模型和界面陷阱效应。
2.建立计算机仿真模型
建立无结纳米线晶体管的电学模型，采用计算机仿真方法进行仿真，并对仿真结果进行分析。
3.实验性地研究无结纳米线晶体管表面状态
通过实验性的研究，在无结纳米线晶体管制备过程中考察表面状态，探究其对界面陷阱效应和晶体管性能的影响。
四、预期研究结果
通过本文的研究，我们将：
1.建立无结纳米线晶体管的电学模型，并采用计算机仿真方法对无结纳米线晶体管的电学特性进行分析。
2.实验性地研究了无结纳米线晶体管制备过程中的表面状态，并探究其对界面陷阱效应和晶体管性能的影响。
5.参考文献
1.Liu,G.,Huang,Y.,&Duan,X.(2012).Challengesandopportunitiesofnanoscaletransistors.Nature,479(7373),304-311.
2.Bao,X.Q.,Waeterloos,C.,He,J.H.,&Claeys,C.(2009).SurfacestatesofultrathinoxidefilmsonSi.JournalofTheElectrochemicalSociety,156(7),H561-H567.
3.Sze,S.M.,&Ng,K.K.(2007).Physicsofsemiconductordevices.JohnWiley&Sons.