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第五章场效应管放大电路§5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管1.结构和符号2.工作原理（b）0＜VGS＜VT
（VT称为开启电压)

在Sio2介质中产生一个垂直于导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。但由于电场强度有限，吸引到绝缘层的少子电子数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。(c)VGS＞VT时
此时的栅极电压已经比较强，栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，将漏极和源极沟通，形成N沟道。如果此时VDS>0，就可以形成漏极电流ID。
在栅极下方导电沟道中的电子，因与P型区的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着VGS的继续增加，反型层变厚，ID增加。
这种在VGS=0时没有导电沟道，依靠栅源电压的作用而形成感生沟道的FET称为增强型FET（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用（b）当VDS增加到使VGD=VT时
沟道如图所示，靠近漏极的沟道被夹断，这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。
（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用3.输出特性曲线其中(3)放大区
产生夹断后，VDS增大，ID不变的区域，VDSVGS-VT
VDSID不变
处于饱和区的场效应管相当于一个压控电流源ID=f(VGS)VDS=const
转移特性曲线5.1.2N沟道耗尽型MOS管沟道长度调制效应
MOSFET中,栅极下导电沟道预夹断后，若继续增大VDs，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使iD增大，这种效应称为沟道长度调制效应各种类型MOS管的特性曲线各种类型MOS管的特性曲线5.1.5MOSFET的主要参数场效应管的主要参数1、最大漏极电流IDM场效应三极管的型号几种常用的场效应三极管的主要参数见表5.2MOSFET放大电路5.2.1MOSFET放大电路5.2.1MOSFET放大电路5.2.1MOSFET放大电路5.2.1MOSFET放大电路§5.3结型场效应管(JunctiontypeFieldEffectTransister)5.3.2工作原理(c)|VGS|=VP，
导电沟道被全夹断（2）VDS对iD的影响

VDS>0但|VGS-VDS|<|VP|，时工作原理工作原理5.3.2JFET的特性曲线①输出特性曲线可变电阻区夹断区②转移特性曲线双极型和场效应型三极管的比较