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专升本《电力电子学》 一、(共75题,共150分) 1.在电力电子变换器的控制中,经常采用()技术(2分) A.脉冲幅值调制PAMB.脉冲频率调制PFM C.脉冲宽度调制PWMD.脉冲相移键控PSK .标准答案:C 2.状态空间平均法是指在一个开关周期中,用变量的平均值替代其()(2分) A.瞬时值B.积分值C.有效值D.估计值 .标准答案:A 3.额定电流为200A的电力二极管,允许长时间通过电流的有效值为()(2分) A.200AB.282AC.300AD.314A .标准答案:D 4.半控器件有()(2分) A.电力二极管DB.电力三极管BJT C.晶闸管SCRD.电力场效应晶体管P-MOSFET E.绝缘门极双极型晶体管IGBTF.门极可关断晶闸管GTO .标准答案:C 5.BOOST型DC/DC变换器不可以()工作(2分) A.空载B.半载C.满载D.过载 .标准答案:A 6.开关电源的效率()串联调压的线性稳压器(2分) A.不高于B.等于 C.不低于D.不确定,与占空比有关 .标准答案:C 7.电压源型桥式变换器的桥臂上、下管驱动信号之间必须设置死区时间的原因是()(2分) A.开关器件存在反向恢复时间 B.提高直流电压利用率 C.可以低压穿越(LowVoltageRideThrough) D.避免桥臂直通故障(ShootThrough) .标准答案:D 8.单相全桥电压源型逆变器的最大输出电压基波有效值为()(2分) A.0.45VDB.0.9VDC.VDD.1.27VD .标准答案:B 9.高频PWM整流能减少输入电流谐波,显著提高交流侧()(2分) A.位移因数B.功率因数C.基波因数D.畸变因数 .标准答案:B 10.三相全控桥式整流电路,直流侧为纯电阻负载,控制角α的有效移相范围是()(2分) A.0°~90°B.0°~120°C.0°~150°D.0°~180° .标准答案:B 11.单相交流电压控制器,输出电压的有效值()输入电压有效值(2分) A.不大于 B.等于 C.不小于 D.不确定,与控制角和负载阻抗角有关 .标准答案:A 12.单相交流电压控制器,阻感性负载,负载阻抗角为Φ,仅当α在()之间连续变化,才能够连续调节输出功率(2分) A.0~ΦB.Φ~π C.0~πD.不确定,与导电角有关 .标准答案:B 13.电力电子装置中的散热器主要解决()的散热问题(2分) A.电抗器、变压器B.开关管 C.电容器D.电阻器 .标准答案:B 14.在高频开关变换器中,半导体开关器件的主要损耗是()(2分) A.通态损耗B.开通损耗C.断态损耗D.关断损耗 E.开关损耗F.静态损耗 .标准答案:E 15.采用(),既可以减小开关损耗,又可以提高装置的效率(2分) A.强宽脉冲驱动B.缓冲器 C.谐振零开关技术D.双窄脉冲驱动 .标准答案:C 16.理想的零开关,应该是通过(),使开关器件在()下关断,在()下开通(2分) A.缓冲电路;零电压;零电流B.缓冲电路;零电流;零电压 C.谐振电路;零电压;零电流D.谐振电路;零电流;零电压 .标准答案:D 17.开关电路组合型电力电子变换电源,组合级数越多,系统效率()(2分) A.越高B.不变 C.越低D.不确定,与控制性能有关 .标准答案:C 18.不控整流器采用APFC技术后,交流输入侧的功率因数可提高到接近于()(2分) A.0.5B.0.707C.0.866D.1 .标准答案:D 19.晶闸管投切电容器TSC可以实现()无功的()补偿,不会产生电流谐波(2分) A.超前;连续B.超前;断续C.滞后;连续D.滞后;断续 .标准答案:D 20.晶闸管控制电抗器TCR可以实现()无功的()补偿,同时产生电流谐波(2分) A.容性;连续B.容性;断续C.感性;连续D.感性;断续 .标准答案:A 21.全控型器件有()(2分) A.电力二极管DB.电力三极管BJT C.晶闸管SCRD.电力场效应晶体管P-MOSFET E.绝缘门极双极型晶体管IGBTF.门极可关断晶闸管GTO .标准答案:B,D,E,F 22.在DCM模式下,DC/DC变换器的变压比不仅与占空比有关,还与()有关(2分) A.电感B.电容C.开关频率D.负载电流 E.负载电阻F.负载电压 .标准答案:A,C,D,E,F 23.衡量逆变器输出波形性能指标有()(2分) A.谐波系数B.总谐波畸变率 C.畸变系数D.特征谐波 E.最低次谐波F.最高次谐波 .标准答案:A,B,C,E 24.衡量整流器的基本性能指标有()(2分) A.输出电压纹波系数B.输出电压变化区间 C.输出电压脉动系数D.输出电压脉动次数 E.输入电流总畸变率F.输入功率因数

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