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基于PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DGSOI建模与仿真
标题：基于PSP-SOI、BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DGSOI建模与仿真
摘要：
DG（双闸）SOI（绝缘体上硅）器件作为一种新型的半导体器件，具有低功耗、高性能和高可靠性等优势，在现代集成电路的设计和制造中得到了广泛的应用。本文针对DGSOI器件建模和仿真问题，基于PSP-SOI、BSIM-IMG和HiSIM-SOTB三种模型，对其进行了详细的研究和探讨。通过对DGSOI的三种模型分析比较，可以找到最适合真实工艺条件的模型，为后续的器件设计和集成电路布局提供参考。
一、引言
DGSOI器件的优势和应用前景
DGSOI器件是一种新型的半导体器件，其精细堆叠结构和双闸作用使得其具有低功耗、高性能和高可靠性等优势，在数字和模拟集成电路领域有着广泛的应用前景。
二、DGSOI器件的建模方法
2.1PSP-SOI模型
PSP-SOI模型是基于PSP（ProcessSpiceModel）开发的一种模型，可以在不改变PSP原版下对SOI器件进行建模。通过对二次侧效应、界面悬浮等因素进行综合考虑，PSP-SOI模型能够比较准确地模拟DGSOI器件的特性。
2.2BSIM-IMG模型
BSIM-IMG模型是基于BSIM（BerkeleyShort-channelIGFETModel）开发的一种模型，主要针对局部要勒和接触区实施模拟。通过引入电子浓度梯度、载流子加速、电场等技术，BSIM-IMG模型能够更加准确地预测DGSOI器件的特性。
2.3HiSIM-SOTB模型
HiSIM-SOTB模型是一种新型的DGSOI器件模型，可以更好地模拟超低压运行条件下的器件特性。该模型特别适用于低功耗和超低电压应用场景，能够提供精确的电流和电压特性。
三、DGSOI器件建模与仿真实验
3.1实验设置
通过使用SilvacoTCAD工具进行建模和仿真实验，设置DGSOI器件的几何参数、材料参数和工艺条件，同时根据不同的工艺条件选择PSP-SOI、BSIM-IMG和HiSIM-SOTB三种模型进行建模和仿真。
3.2结果分析
通过比较三种不同模型的仿真结果，分析其对DGSOI器件的特性预测和模拟精度。通过实验结果的比较，找到最适合真实工艺条件的模型。
四、讨论与展望
通过本文的研究和探讨，我们可以发现PSP-SOI、BSIM-IMG和HiSIM-SOTB三种模型各自的优势和适用范围。未来的研究可以进一步深入挖掘这三种模型的潜力，结合真实工艺条件，提高DGSOI器件的建模和仿真精度，为集成电路的设计和制造提供更好的支持。
结论：
本文基于PSP-SOI、BSIM-IMG和HiSIM-SOTB三种模型对DGSOI器件进行了建模和仿真实验。通过分析比较三种模型的优缺点，找到了最适合真实工艺条件的模型。未来的研究可以进一步完善这些模型，提高DGSOI器件的建模和仿真精度，以满足现代集成电路设计和制造的需求。