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ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究
ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究
摘要：目前集成电路工艺的发展已经进入了亚微米级别，其中ULSI多层铜布线CMP技术的应用已经成为了平面化工艺的重要环节。因此对于影响ULSI多层铜布线CMP技术的因素进行研究具有重要的理论意义和实际应用价值。本文通过对ULSI多层铜布线CMP技术中材料、工艺参数等因素对该技术的影响进行探究分析，为该技术的应用提供了参考便利。
关键词：ULSI；多层铜布线；CMP；影响因素
引言
目前，集成电路工艺发展已经进入了亚微米级别，提出了平面化技术，即通过使用多层铜布线的方式来增加平面化水平，以便于将更多的器件集成到同一芯片上。多层铜布线那么对于产生器件的稳定性、可靠性、尺寸精度和互连噪声等方面有重要的影响。其中CMP技术是ULSI多层铜布线制程中非常重要的一个工艺。因此，研究ULSI多层铜布线CMP技术的影响因素对于提高电子器件的制造质量和可靠性具有重要的理论和实际应用价值。
材料和方法
本文主要通过文献综述的方式对ULSI多层铜布线CMP技术的影响因素进行探究。通过对相关研究文献的分类整理，分析了ULSI多层铜布线CMP技术中的材料、工艺参数等方面的影响因素，并对其进行详细阐述。
结果与讨论
1.材料因素的影响
材料的选择对于ULSI多层铜布线CMP技术的影响极大。其中，对于多层铜布线来说，铜层、背覆层、氧化层等材料对于CMP技术的影响是显著的。同时，对于不同的材料，其CMP的参数也是不同的。例如，对于氧化硅层，一般使用纳米级硅氧化物磨料，CMP压力要适当控制，以免对电极表面产生过多的切削力，同时还要适当选择pH值和磨石类型，以使氧化硅可以得到理想的CMP效果。
2.工艺参数的影响
工艺参数对于ULSI多层铜布线CMP技术的影响也是较为显著的，包括CMP压力、CMP速度、液体流量、pH值等。其中，CMP压力控制是关键，在过短时间内，电极表面切割力太强，造成刻蚀深度过深，过长时间内，不易去除表面能量积聚，CMP不均匀，并且当磨石的旋转速度过快时，会降低磨浆深度，降低CMP效果。
3.CMP液体的影响
除去材料和工艺参数的影响因素之外，液体的选择也对于ULSI多层铜布线CMP技术的制造质量有至关重要的影响。液体包括了磨料、pH、添加剂等，其中磨料是影响CMP效果的关键因素。因此，为了确保CMP效果的稳定，应该选择有着较低切割速率的磨料，并且管控pH的值，根据不同的铜层表面状态，进行不同的调整，以适配不同的CMP过程表面状态，以使异常电流的情况下保持均匀，响应时间快。
结论
本文通过研究ULSI多层铜布线CMP技术的影响因素，提出了材料、工艺参数和液体等方面的考虑点，以便于提高ISUO多层铜布线器件生产的效率和可靠性。当然，由于CMP技术实现的复杂性，还有许多的点需要进一步的研究，以得到更好的技术效果和更高的技术应用的潜力。