0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模.docx

0.5μmSOICMOS工艺开发与器件建模
摘要：
本文介绍了0.5μmSOI（SilicononInsulator）CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor）工艺的开发及器件建模。SOI技术是近年来发展起来的一项新技术，它可以对晶体管进行微结构化，从而在性能上提高。
首先，文中介绍了0.5μmSOICMOS工艺的主要合成材料及其制备流程，包括SOI的SOI（SilicononInsulator）结构，双层晶体结构的形成以及阻挡层和胶层的生长工艺等；其次，阐述了该工艺中通过改变晶体管的结构和材料来优化性能；最后，建立了该工艺中器件的物理模型，对SOICMOS技术进行详细分析。
结果表明，0.5μmSOICMOS工艺在互连密度和速度、功耗、容积和电容等方面具有很好的特性，适用于各种微电子电路的制造。
Introduction:
随着科技的飞速发展，电子设备的需求不断增加，同时对设备性能有了更高的要求，而微电子设备的制造技术也在不断地发展。0.5μmSOICMOS工艺作为一种新兴的生产技术，能够改善器件的性能，因此具有很大的发展潜力。
Materialsandmethods:
为了制造0.5μmSOICMOS器件，采用了先进的SOI技术，主要合成材料包括硅晶体、硅膜（背表面是氧化硅）、硅衬底和阻挡层。其制备流程如下：
首先，将一块硅晶片（衬底）进行压剪，使其被分割成薄片；然后，在背面镀上一层氧化硅；接下来，再在背表面上析出一个衬底；然后，在衬底上形成一个氧化硅层；最后，在氧化硅层上形成一层硅膜。因此，SOI的结构成为这个过程中的高电子迁移率（HEMT）器件。
优化工艺：
在器件的制造过程中，可以通过改变晶体管的结构和材料来优化器件的性能。其中，通过减小晶体管的内源间距和加宽贯穿级体的宽度，进一步增强了器件的互连密度和速度。同时，通过减少贯穿级中残留不纯物质的含量，降低了器件的功耗。
建立物理模型：
最后，我们建立了0.5μmSOICMOS器件的物理模型。我们将晶体管建模为一个矩形电容，其中内源间距、门电压和聚酰亚胺内厚度都是影响器件电容的主要因素。模型中，我们还考虑了造成器件漏电的源——漏电流和通过器件的源——漏电压力，从而确保器件正常工作并满足性能要求。
Conclusions:
总之，0.5μmSOICMOS工艺在微结构化的基础上，通过改变晶体管的结构和材料来优化器件的性能，具有互连密度和速度、功耗、容积和电容等方面的优势，可以适用于各种微电子电路的制造。因此，SOICMOS技术未来有一个很好的发展前景。