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第二章单片微机原理与结构2.180C51系列概述(2)该系列生产工艺有两种: 一是HMOS工艺(高密度短沟道MOS工艺)。二是CHMOS工艺(互补金属氧化物的HMOS工艺)。 CHMOS是CMOS和HMOS的结合,既保持了HMOS高速度和高密度的特点,还具有CMOS的低功耗的特点。在产品型号中凡带有字母“C”的即为CHMOS芯片,CHMOS芯片的电平既与TTL电平兼容,又与CMOS电平兼容。(4)在片内程序存储器的配置上,该系列单片机有三种形式,即掩膜ROM、EPROM和ROMLess(无片内程序存储器)。如: ﹡80C51有4K字节的掩膜ROM; ﹡87C51有4K字节的EPROM; ﹡80C31在芯片内无程序存储器。2.1.280C51系列 80C51是MCS-51系列单片机中CHMOS工艺的一个典型品种;其它厂商以8051为基核开发出的CMOS工艺单片机产品统称为80C51系列。当前常用的80C51系列单片机主要产品有: ﹡Intel的:80C31、80C51、87C51,80C32、80C52、87C52等; ﹡ATMEL的:89C51、89C52、89C2051等; ﹡Philips、华邦、Dallas、Siemens(Infineon)等公司的许多产品。2.280C51的基本结构与应用模式82.2.280C51的应用模式 一、总线型单片机应用模式 总线型应用的“三总线”模式非总线型应用的“多I/O”模式二、非总线型单片机应用模式 非总线型单片机已经将用于外部总线扩展用的I/O口线和控制功能线去掉,从而使单片机的引脚数减少、体积减小。对于不需进行并行外围扩展,装置的体积要求苛刻且程序量不大的系统极其适合。非总线型单片机典型产品如: AT89C2051/AT89C4051。 2.2.380C51典型产品资源配置与引脚由表可见: (1)增强型与基本型在以下几点不同: ﹡片内ROM字节数:从4K增加到8K; ﹡片内RAM字节数:从128增加到256; ﹡定时/计数器从2个增加到3个; ﹡中断源由5个增加到6个。(2)片内ROM的配置形式: ﹡无ROM(即ROMLess)型,应用时要在片外扩展程序存储器; ﹡掩膜ROM(即MaskROM)型,用户程序由芯片生产厂写入; ﹡EPROM型,用户程序通过写入装置写入,通过紫外线照射擦除; ﹡FlashROM型,用户程序可以电写入或擦除(当前常用方式)。 还有OTPROM型(一次性编程写入ROM)产品,具有较高的环境适应性和可靠性。2.2.3.280C51的引脚封装2.2.3.380C51的内部结构8051的内部结构 二、80C51的片内存储器 在物理上设计成程序存储器和数据存储器两个独立的空间(称为哈佛结构): 内部ROM容量4K字节 范围是:0000H~0FFFH 内部RAM容量128字节 范围是:00H~7FH 三、80C51的I/O口及功能单元 四个8位的并行口,即P0~P3。它们均为双向口,既可作为输入,又可作为输出。每个口各有8条I/O线。 有一个全双工的串行口(利用P3口的两个引脚P3.0和P3.1); 有2个16位的定时/计数器; 有1套完善的中断系统。 四、80C51的特殊功能寄存器(SFR) 内部有SP,DPTR(可分成DPH、DPL两个8位寄存器),PCON,…,IE,IP等21个特殊功能寄存器单元,它们同内部RAM的128个字节统一编址,地址范围是80H~FFH。这些SFR只用到了80H~FFH中的21个字节单元,且这些单元是离散分布的。 增强型单片机的SFR有26个字节单元,所增加的5个单元均与定时/计数器2相关。2.2.3.5MCS-51系列引脚及功能振荡器及时钟电路①RST/VPD(9脚): 1.接复位电路可实现复位; 2.接+5V备用电源,当断电时RAM中数据不丢失。 ②ALE/PROG(30脚): 1、访问片外存储器时,ALE输出作低位地址锁存允许控制; 2、对875l片内EPROM编程(固化时),此脚用于输入编程脉冲(PROG)。 ③PSEN(29脚): 访问片外程序存储器时,此脚输出负脉冲作为读选通信号。④EA/VPP(31脚):4、输入/输出口引脚805l共四个8位I/O口,占32个引脚。 P0口(P0.0~P0.7)占39~32脚 Pl口(P1.0~P1.7)占1~8脚; P2口(P2.0~P2.7)占2l~28脚; P3口(P3.0~P3.7)占10~17脚。2.2.480C51的时钟与时序二、80C51的时钟信号2.2.580C51单片机的复位二、单片机复位后的状态2.380C51的存储器组织2.3.1存储器的结构8051单片微机存储器采用哈佛结构,分四个物理空间805l单片机内有4KBROM(803

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