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全部耗尽SOISiGeHBT集电结渡越时间模型研究
有源器件的性能如何在更先进的技术下提升一直是半导体器件研究的一个重要领域。SOI(SiliconOnInsulator)SiGe(SiliconGermanium)HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)是一种先进的同质异面结（Heterojunction）双极晶体管。相比于其他先进的晶体管技术，这种技术具有较高的功率增益、低噪声和截止频率高等优势。然而，SOISiGeHBT器件的高速特性与散热问题密不可分，因此需要对这一方面进行详尽的研究。
SOISiGeHBT器件结构较普通的晶体管有所不同。当前，在CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)技术中，晶体管通常采用硅作为基材。硅基材上还涂覆有一个由氧化物构成的绝缘层。SOI技术使用的是同样的硅基材，但是绝缘层换成了氧化硅（SiO2）或者氮化硅（SiNx）等材料。这种基材内部不存在杂质和晶界，使得SOISiGeHBT器件的加工更简单，且器件性能更稳定。另一方面，SiGe的掺杂浓度低，表现出较高的电迁移率与集电极结接触时低的电阻。这些特性有助于提升器件的性能。
在SOISiGeHBT器件的设计和模拟中，集电结位移时间（DoubleDiffusedBaseTransitTime，DDBTT）是一项非常重要的参数。该参数是反映SOISiGeHBT器件高速特性的重要量参数之一，同时还能够反映出器件对高频信号的响应速度。DDBTT主要与集电结区的结构和掺杂有关。与传统的晶体管不同，SOISiGeHBT器件的集电结区域形成的是同质异面结，其结构与传统的晶体管不同。因此，早期的DDBTT模型很难用于SOISiGeHBT器件的设计中。
在进行SOISiGeHBT器件的性能模拟时，需要使用一些较为成熟的模型来考虑器件特性。DDBTT是一项非常重要的参数，因此，在SOISiGeHBT器件的模拟中，需要准确地计算集电结位移时间。现有的DDBTT计算模型可以分为数值模型和解析模型两种类型。
数值模型一般是建立在有限元方法的基础上。这种模型使用数值求解器来解决一系列微分和方程问题。已有研究表明，数值模型能够比较准确地计算SOISiGeHBT器件的DDBTT，然而，这种方案计算复杂度较大，耗时长，对于加工工艺和器件结构变化的适应性不足。
解析模型比较常见的是双扩散模型（DoubleDiffusedModel）。该模型通过分析异质结晶体管中的空间电荷限制，计算集电结区域在不同载流子注入条件下的DDBTT。该方法可以在较小的时间开销中计算出DDBTT，但是对于弱掺杂区域的DDBTT计算结果波动较大，因此需要结合试验数据进行修正。
另外，还存在基于小信号模型的DDBTT计算方法。这种方法可以通过计算集电极内部的电感和电容贡献，得到最终的DDBTT值。但是，小信号模型并不适用于高注入和大信号模拟（HighInjectionandLargeSignalSimulation）。
总体来说，SOISiGeHBT器件的DDBTT计算是一个非常重要的问题。在做工艺设计和电路模拟时，计算DDBTT能够为研究人员提供更加准确的器件参数和模拟结果。不同的计算方法各有优缺点，因此需要根据实际需求选择合适的计算方法，准确预测SOISiGeHBT器件的性能。