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可调光衰减器专利技术综述
可调光衰减器是一种常用的光学器件，可在光学通信、光电子学和激光加工等领域中发挥关键作用。可调光衰减器优点是具有快速响应速度、高分辨率、低插损、快速可靠、低温漂移、自适应等特性，具有非常强的潜力。在这篇论文中将对可调光衰减器的专利技术进行综述。
一、静电容调制的可调光衰减器专利技术
静电容调制的可调光衰减器主要是通过半导体材料的光电效应来实现光的衰减。我国的发明专利CN101327185B力图通过减小光衰减器的体积和实现电路的一致性，提高可调光衰减器的识别精度。发明者通过小体积、低功耗和微纳技术制备的可调光衰减器来减小插损和性能波动。
PN结型可调光衰减器常用于波分复用、广域网和数据中心。我国的发明专利CN109588787A通过在PN结的两端分别实现引入不同压电晶体或压电材料，引入约1000倍增益和兼容性，提高可调光衰减器的响应速度和衰减梯度。
二、波导型可调光衰减器专利技术
波导型可调光衰减器主要是将光信号传输在介质中，通过改变波导材料的性质或形状，来实现光的衰减。比较典型的波导型可调光衰减器是热光控制型衰减器。
我国的发明专利CN106551393A介绍了一种全光网络中的混合单倍频可调光衰减器，该可调光衰减器采用波导型结构，具有较高的响应速度和精度，可以被广泛地应用于全光通信网络中。同时，为了适应不同的需求，该可调光衰减器具有大和小两个型号。
发明专利US20140270812A1摸索了一种基于自动温控的热光可调光衰减器，采用Pockels效应的波导型结构来改变光芯的相对位置，其优点在于可以将整个器件固定在一个基座上，实现在线自动温控，从而提高了可调光衰减器的精度和可靠性。
三、MEMS型可调光衰减器专利技术
MEMS型可调光衰减器主要是利用微机电系统工艺，制造出微小机械电气系统，通过施加电场或热力学效应，来实现微小结构的微调位置或长度，从而调整光的传输。
我国发明专利CN103468250B提供了一种MEMS电容式可调光衰减器，其所用的MEMS技术可以在可控层中形成一个灵敏器件，在高速运动中达到精准的测量效果，因此，这种技术适用于高速灵敏的单光子探测和具有高质量因子的微型谐振器等领域。
在此之外，国外的发明专利US20120044198A1和US20040252045A1针对MEMS型可调光衰减器的晶圆制造技术进行了细节的创新，例如硅基衬底技术和金属电子束光阻等制造技术，实现了器件制造的高精度和高度集成。
综上所述，可调光衰减器在不同领域都有着广泛的应用，而不同的可调光衰减器专利技术则完美地解决了不同场景下的需求。随着光通信和其他光学应用领域的迅速发展，相信可调光衰减器技术也会逐步得到进一步的提升和应用。