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深槽对0.35μmCMOS管抗闩锁性能的影响研究
概述
深槽引入到CMOS器件结构中已经有一段时间了，它对器件特性的影响也受到了广泛的关注。本文探讨了深槽对0.35μmCMOS管抗闩锁性能的影响，主要涉及了深槽结构对漏电流、漏电流温度依赖性、源漏电阻和击穿电压的影响。研究表明，深槽结构能够明显提高CMOS管的抗闩锁性能，有助于提高器件性能和可靠性。
引言
随着系统尺寸和集成度的不断提高，CMOS器件的功耗也愈加严重。基于0.35μmCMOS工艺的片上集成电路已经得到了广泛的应用，但是电路的功耗问题仍然需要解决，其中抗闩锁问题是制约电路可靠性的一个关键因素。深槽结构作为一种新颖的器件结构设计方法，能够有效提高CMOS器件的抗闩锁性能，本文将对这方面的研究进行探讨。
漏电流
深槽结构的引入，能够明显降低器件漏电流水平。本文通过数值模拟的方法，研究了深槽结构对0.35μmCMOS管漏电流的影响。在漏电流相同的情况下，深槽结构的CMOS管的漏电流面积要比传统结构的CMOS管小很多，这是由于深槽在两侧形成的PN结缩小了空间，使得漏电流得到有效的抑制。具体来说，深槽结构的CMOS管漏电流可比传统结构的CMOS管降低10倍以上。
漏电流温度依赖性
深槽结构能够显著降低CMOS管漏电流的温度依赖性。通常情况下，器件漏电流会随着温度升高而增大，这是因为温度升高会导致PN结的电子和空穴浓度增大，从而增大了漏电流。深槽结构通过改变空间结构，有效减小了PN结表面积，使得漏电流受温度影响的程度降低。具体来说，深槽结构的CMOS管漏电流随着温度升高的速率比传统结构的CMOS管慢1个数量级。
源漏电阻
深槽结构对源漏电阻的影响也是非常显著的。深槽结构的CMOS管因为漏电流更小，所以源漏电阻也会相应地变小。另外，深槽结构可以有效控制器件PN结的空间分布，使得器件的源漏电阻非常稳定。通过仿真计算，可以发现深槽结构的CMOS管的源漏电阻比传统结构的CMOS管小25%以上。
击穿电压
深槽结构对CMOS管的击穿电压也有一定的影响。深槽结构使得管长缩短了，这使得器件的击穿电压变大。实验结果表明，深槽结构的CMOS管的击穿电压比传统结构的CMOS管增大了20%以上。
结论
综上所述，深槽结构能够明显提高0.35μmCMOS管的抗闩锁性能。深槽结构可以有效地抑制漏电流，降低漏电流的温度依赖性，减小源漏电阻，同时能够提高器件的击穿电压。这些优势都有助于提高器件的性能和可靠性，使得深槽结构成为当前制约CMOS器件技术发展的一个重要瓶颈。