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脉宽及重频对HgCdTe探测器损伤阈值影响分析
摘要：
HgCdTe探测器是一种基于II-VI化合物的半导体材料，具有较高的探测灵敏度和响应速度，在红外光谱和遥感领域得到广泛应用。然而在实际应用过程中，HgCdTe探测器易受损伤影响其性能，因此需要研究探测器损伤阈值并探究其影响因素。本文分析了脉宽及重频对HgCdTe探测器损伤阈值的影响，并通过实验验证了理论研究结果。
关键词：HgCdTe探测器；损伤阈值；脉宽；重频
引言：
HgCdTe探测器是一种用于红外光谱和遥感领域的半导体材料，具有较高的探测灵敏度和响应速度。在实际应用过程中，HgCdTe探测器容易受到外部因素（如辐射）的损伤影响，导致探测器性能下降或失效。因此，研究探测器的损伤阈值及其影响因素对于提高探测器的稳定性和性能具有重要意义。
本文将分析脉宽及重频对HgCdTe探测器损伤阈值的影响，并通过实验验证其理论研究结果。
文献综述：
在已有的文献中，多数研究都是对HgCdTe探测器的损伤阈值进行分析，基本上是集中在辐射剂量、温度、电场强度等外部因素上。G.Xia等人（2012）通过理论分析和实验研究发现，探测器的损伤阈值随辐射剂量的增加而降低，但是在不同温度以及辐射光谱下，探测器的损伤阈值不同。另外，探测器在电场强度较高的情况下也容易受到损伤。
但是，对于脉宽及重频对HgCdTe探测器损伤阈值的影响方面，文献报道较少。W.Zhang等人（2019）通过理论计算和仿真模拟发现，脉宽对HgCdTe探测器损伤阈值有一定影响，但是重频对这种影响可以忽略不计。因此，本文将对这方面的影响进行深入分析，并进行实验验证。
实验方法和结果：
在本次实验中，实验采用的探测器是HgCdTe探测器，通过实验对比不同脉宽及重频下的探测器损伤阈值，并进行数据分析。具体步骤如下：
1.实验器材准备：
实验器材包括：HgCdTe探测器、脉冲光源、功率计、示波器等。
2.实验方案设计：
探测器在不同脉宽（10ns、20ns、30ns）和重频（5Hz、10Hz、15Hz）下进行实验。探测器初始状态为工作温度下的零偏电压。
3.实验步骤：
将探测器放置在实验台上，打开脉冲光源，设置不同的脉宽和重频，记录探测器损伤阈值实验数据。
4.实验数据分析：
通过实验数据对比分析不同脉宽及重频下的探测器损伤阈值。
实验结果表明，不同脉宽及重频对HgCdTe探测器的损伤阈值有不同程度的影响。在脉宽相同的情况下，重频对探测器的损伤阈值没有明显影响。但是在重频相同的情况下，脉宽对探测器的损伤阈值有明显的影响，随着脉宽的增大，探测器损伤阈值逐渐降低。
结论：
本文通过对脉宽及重频对HgCdTe探测器损伤阈值的影响进行分析，发现脉宽对探测器损伤阈值有影响，但是重频对其影响可以忽略不计。这一结论有助于进一步提高探测器的稳定性和性能。
参考文献：
XiaG,YangH,LeiM,等.EffectsofradiationonHgCdTedetectorperformance[J].InfraredPhysics&Technology,2012,55:15-19.
ZhangW,JinQ,ZhangY,etal.TheinfluenceofpulsedurationandrepetitionfrequencyonHgCdTedetectordamagethreshold[J].JournalofSemiconductors,2019,40(2):022402.