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MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究
MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究
摘要：
光通信领域中，InGaAsP材料在波导结构中的应用非常广泛。本研究旨在通过金属有机化学气相沉积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD）技术，实现InGaAsP波导对接生长的研究。通过优化生长参数，如温度、流量比和压力等，得到高质量的InGaAsP波导材料。同时，通过材料表征手段，包括X射线衍射（X-RayDiffraction,XRD）和扫描电子显微镜（ScanningElectronMicroscopy,SEM），对生长材料进行了表面形貌和结构分析。
引言：
InGaAsP材料在光通信领域中具有重要的应用价值。该材料的能带结构可以被调节，使其在不同波长范围内具有优良的光学性能。目前，InGaAsP波导材料的研究主要集中在各种不同的生长方法上。其中，MOCVD技术由于其能够实现高质量的材料生长，受到了广泛关注。
材料和方法：
本研究使用了MOCVD技术在InP基底上生长InGaAsP波导材料。首先，通过化学清洗的方法对InP基底进行处理，以去除表面的杂质和氧化物。随后，将金属有机化合物（trimethylindium,TMIn；trimethylgallium,TMGa；phosphine,PH3等）引入反应室，通过热解和表面反应，使金属有机化合物分解并在基底上形成InGaAsP材料。根据生长参数的不同调节，可以实现不同成分和厚度的材料生长。
结果和讨论：
通过调节生长参数，如温度、流量比和压力等，研究了不同条件下InGaAsP材料的生长过程。XRD分析结果显示，生长材料的晶格结构符合InP材料的结构，并且没有明显的畸变。SEM观察结果表明，材料的表面形貌较为光滑，无明显的表面缺陷或颗粒。通过对不同材料参数的优化，可以得到低缺陷密度和高质量的InGaAsP波导材料。
结论：
本研究通过MOCVD技术成功实现了InGaAsP波导对接生长的研究。通过优化生长参数和材料表征手段，得到了高质量的InGaAsP波导材料。未来的研究可以进一步探索不同生长参数下的材料性能，并在光通信器件中应用该材料。
参考文献：
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