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NC-FinFET器件的仿真研究
NC-FinFET器件的仿真研究
随着微电子技术的飞速发展，FinFET器件作为一种新型的MOSFET器件，今天已经成为了芯片制造业的主流，尤其是在功耗和性能方面的优势。NC-FinFET器件又是FinFET器件中一种新的结构，相对于传统的FinFET有更优秀的静态和动态特性，适合在高速、低功耗、高可靠性、高密度应用中使用。因此，针对NC-FinFET器件的仿真研究显得尤为重要。
首先，我们来回顾一下FinFET器件的优势所在。FinFET的结构更为复杂，Fin的厚度是晶圆上的制造材料的一半。相比于传统的MOSFET器件，FinFET的其中一部分（Fin）比另一部分（Gate）更细，这可以使FinFET的电荷控制更加优化，从而更好地控制了电流。相同的电流下，FinFET器件的功耗更低，电压控制能力更好，晶体管通道长度更小，速度更快。而NC-FinFET又是FinFET器件中的一种能够进一步提升它的性能的新结构。NC-FinFET在MOSFET结构中引入了非理想性质，如接触电阻、反漏电流等。由于这些非理想性质以及外部传统CMOS缺陷的压缩，NC-FinFET的特性更加出色。
从仿真的角度来看，NC-FinFET的仿真需要考虑非理想性质和传统MOSFET的参数，例如面积、长度、电压等。结合参考文献“NC-FinFETDeviceSimulationTakingAccountofNonidealContactsandLeakageCurrent”，我们可以看到，在NC-FinFET仿真时主要需要考虑以下几个因素：
首先，对于接触电阻的建模。理想情况下，FinFET与Silicon之间不存在接触电阻，短通道效应的上升主要来自半导体表面和界面缺陷的影响。但在实际的制造过程中，FinFET和Silicon之间必然存在接触电阻。文献中给出的接触电阻模型适用于SiGe和SiGeCNC-FinFET器件，这个模型可以将接触电阻理论上在VC和VG的作用下建模。
其次，对于反漏电流的建模。FinFET设备中的反漏电流主要源于晶面的接口态和界面态。文献还介绍了一种新的三维界面态正漏电流模型，该模型可以捕获三维空间中的界面反漏电流效应并将其与二维界面态正漏电流效应相结合，从而更好地模拟FinFET器件的性能。
最后，对于细节部分的建模。在NC-FinFET器件的建模中，细节部分的建模非常重要。例如，因为人为失误而出现缺陷的情况需要非常良好的建模。文献中建议使用具有Langevin函数的tfet模型，对于退火优化过的人造缺陷的熵接近于SSL模型熵。在最小化缺陷耗散的同时，最大化优化电流效率并抑制热激发本征噪声。
综合上述内容，NC-FinFET器件的仿真研究非常有前景，并且可以给今后的微电子制造业带来巨大的变化。本文主要介绍了NC-FinFET的一些建模方法，该方法结合了非理想性质和传统MOSFET的参数。因此，对于NC-FinFET的仿真研究，未来的研究应该更好地考虑非理想性质以及传统MOSFET的参数。同时，需要进一步优化NC-FinFET的优势，例如静态和动态特性等。