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[《半导体物理》教学大纲.doc]5则范文

第一篇：[《半导体物理》教学大纲.doc]《半导体物理》教学大纲学时：72其中实验12学时学分：4.5分教材：《半导体物理学》编者刘恩科朱秉开罗晋生等国防工业出版社参考书：《半导体物理学》叶良修编；《半导体物理学》顾祖毅编；一、课程性质和任务《半导体物理》是微电子技术专业的专业基础课和学位课之一。其目的使学生掌握半导体物理的基础理论和半导体的主要性质，为后续专业课程的学习和将来相关专业的工作打下基础。二、教学内容和要求1、理论教学(60学时)第一章半导体中电子状态掌握晶体结构，半导体中电子的运动、有效质量，本征半导体的导电结构、空穴，常规半导体的能带结构第二章半导体中杂质和缺陷能级掌握硅、锗晶体的杂质能级，Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级，自学杂质、缺陷能级第三章半导体中载流子的统计分布掌握费米能级和载流子的统计分布，本征半导体、杂质半导体的载流子浓度，简并半导体概念和基本性质。自学一般情况下载流子的统计分布。第四章半导体的导电性掌握载流子的迁移运动、散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系。了解强电场下的效应，多能谷散射。自学玻耳兹曼方程。第五章非平衡载流子掌握非平衡载流子的注入、复合与寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、爱因斯坦关系。自学连续性方程。第七章金属和半导体的接触掌握金属和半导体的接触能级图，金属和半导体的整流理论及欧姆接触。第八章半导体表面与MIS结构掌握表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，了解Si－SiO2系统的性质及表面迁移率。为巩固基本概念和基础理论，培养学生分析解决问题能力，每章完后布置一定作业。三、实验教学(12学时)为了运用课堂基础理论，培养动手能力，本课程设置四个实验：2、椭偏法测SiO2层的厚度和折射率3、MOS结构高频C-V测试4、霍尔效应及参数测试5、高频光电导衰减法测Si单晶少子寿命教师课堂讲解实验原理、内容及要求，强调注意事项。学生分组完成实验并提交实验报告。第二篇：半导体物理教学大纲（精选）《半导体物理》课程编号：01500277课程名称：半导体物理SemiconductorPhysics学分：3.5学时:56先修课程：固体物理、量子力学、理论物理一、目的与任务《半导体物理学》是电子科学与技术专业的一门必修课程。通过学习本课程，使学生掌握半导体物理的基本理论和基本规律，培养学生分析和应用半导体各种物理效应的能力，同时为后继课程《半导体器件》与《半导体集成电路》的学习奠定基础。本课程的任务是揭示和研究半导体的微观机构，从微观的角度解释发生在半导体中的宏观物理现象；重点学习半导体中的电子状态及运动规律；学习半导体中载流子的统计分布、输运理论及相关规律；学习载流子在输运过程中发生的一些宏观物理现象；学习半导体的某些基本结构，包括金属半导体结及表面问题。二、教学内容及学时分配第一章半导体中的电子状态（8学时）1．半导体中的电子状态与能带2．半导体中电子的运动有效质量3．本征半导体的导电机构空穴4．硅和锗的能带结构第二章半导体中杂质和缺陷能级（2学时）1．硅、锗晶体中的杂质能级2．Ⅲ-V族化合物中的杂质能级第三章半导体中载流子的统计分布（8学时）1．状态密度2．费米能级和载流子的统计分布3．本征半导体的载流子浓度4．杂质半导体的载流子浓度5．一般情况下的载流子统计分布6．简并半导体第四章半导体的导电性（8学时）1．载流子的漂移运动迁移率2．载流子的散射3．迁移率与杂质浓度和温度的关系4．电阻率及其与杂质浓度和温度的关系5．波尔兹曼方程电导率的统计理论6．强电场下的效应，热载流子7．多能谷散射耿氏效应第五章非平衡载流子（8学时）1．非平衡载流子的注入与复合2．非平衡载流子的寿命3．准费米能级4．复合理论5．陷阱效应6．载流子的扩散运动7．载流子的漂移运动爱因斯坦关系8．连续性方程式第六章金属和半导体接触（4学时）1．金属与半导体接触及其能带图2．金属与半导体接触的整流理论3．欧姆接触第七章半导体表面与MIS结构（4学时）1．表面态2．表面电场效应3．MIS结构的电容电压特性4．硅—二氧化硅系统的性质第八章异质结（2学时）1．异质结及其能带图2．异质结的电流输运机构第九章半导体的光电性质、光电与发光现象（4学时）1．半导体的光吸收和光电导2．半导体的光生伏特效应3．半导体的发光、激光第十章半导体热电性质（4学时）1．热电效应2．热电效应的应用第十一章半导体磁和压阻效应（4学时）1．霍耳效应2．磁阻效应3．光磁电效应4．压阻效应三、考核与成绩评定采用纸笔式闭卷考试，按百分制进行成绩评定。四、大纲说明1.本课程在理论物理基础课程学习之后开设。学生应掌握必要的热力学与统计物理、量子力学、电磁场、固体物理学等知识。2.