个人工作小总结——工艺办.docx

个人工作小总结——工艺办

第一篇：个人工作小总结——工艺办个人部门工作小总结2015年已经结束，2016已悄然到来，回望这一年来的工作历程作此总结。一、订单打样工艺办在接到订单打样（初样、产前样）时严格核对订单数量、颜色、面料、尺寸、款式等细节确保无遗漏在下发，有疑问时及时沟通。在这一年中通过营销部、计划部、打板室、裁床、样衣房、工艺办、后道的相互协作沟通，样衣得以及时完成发往客户。二、大货订单工艺对大货及订单工艺的完善。接到单时及时完善成品工艺确保工艺单同客户制单、样衣一致。如有特殊要求及时试样由客人确认。三、上半年二等品备疵、换片2015年上半年经各部门的协商对大货二等品采取了备疵换片的方法来减少二等品的数量。裁床将备疵片捆好、写上飞子随大货流转到工艺办后统一分类、配片最后由样衣房处理。样衣房将备好片的二等品再次细化的分类堆放，二等品要经过拆片、换片、裁片、缝制等工序才能成为正品。在2015年上半年样衣房处理了二等品3858件，经过换片成为正品共3775件，备疵片遗留制作大货共696件。四、裁床改革2015年下半年对裁床进行改革后工艺办在裁剪车间的协助下对大货单耗进行了细致的实验，得出各款的实际单耗、用布率和裁剪数量。改革完成后对裁片疵点、挂丝等面料质量问题进行抽检、记录。2016年的到来带来新的气息，在新的一年中我们会再接再厉努力工作！！2016-1-15第二篇：焊接工艺(个人总结)焊接工艺（个人总结）此部分主要讲述各种材料的焊接工艺，包括（45、HT300、空冷钢、Cr12MoV、MoCr铸铁、GGG70L）。讲述的内容涉及对不同材料使用的焊条，在焊接之前焊条如何处理，基体如何处理。第三篇：集成电路工艺个人总结曹飞个人版总结引言第一只晶体管•第一只晶体管,AT&TBellLab,1947•第一片单晶锗,1952•第一片单晶硅,1954(25mm，1英寸)•第一只集成电路（IC）,TI,1958•第一只IC商品,Fairchild,1961摩尔定律晶体管最小尺寸的极限•价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番，1980s后下降为每18月翻一番；•最小特征尺寸每3年减小70%•价格每2年下降50%；IC的极限•硅原子直径:2.35Å；•形成一个器件至少需要20个原子；•估计晶体管最小尺寸极限大约为50Å或0.005um，或5nm。电子级多晶硅的纯度一般要求含si>99.9999以上，提高纯度达到99.9999999—99.999999999%（9-11个9）。其导电性介于10-4-1010/cm。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。1980s以前半导体行业的模式1980s以前：大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片，如Intel，IBM1990s以后半导体行业的模式F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计),什么是Foundry有晶圆生产线，但没有设计部门；接受客户订单，为客户制造芯片；IC流程图:接受设计订单→芯片设计→EDA编辑版图→将版图交给掩膜版制造商→制造晶圆→芯片测试→芯片封装硅片制备与高温工艺单晶生长：直拉法区熔法高温工艺:氧化，扩散，退火。Si集成电路芯片元素组成■半导体（衬底与有源区）：单晶Si■杂质（N型和P型）：P(As)、B■导体（电极及引线）：Al、Wu（Cu、Ti）、poly-Si■绝缘体（栅介质、多层互连介质）：SiO2、Si3N4硅的重要性■储量丰富，便宜；（27.6％）■SiO2性质很稳定、良好介质，易于热氧化生长；■较大的禁带宽度（1.12eV），较宽工作温度范围硅提纯I的工艺步骤、化学反应式及纯度从石英砂到硅锭■石英砂（SiO2)→冶金级硅(MGS)■HCl与MGS粉反应形成TCS■（trichlorosilane：氯硅烷）■利用汽化和冷凝提纯TCS■TCS与H2反应形成多晶硅(EGS)■熔融EGS和拉单晶硅锭从硅锭到硅片单晶硅锭→整型→切片→磨片倒角→刻蚀→抛光→清洗→检查→包装化学反应式硅提纯I多晶硅淀积直拉法的拉晶过程拉晶过程①熔硅②引晶（下种）③收颈④放肩直拉法的拉晶过程中收颈的作用目的：抑制位错从籽晶向晶体延伸直拉法与区熔法的对比直拉法，更为常用(占75％以上)⑴便宜⑵更大的圆片尺寸(300mm已生产)⑶剩余原材料可重复使用⑷位错密度：0～104cm2区熔法⑴高纯度的硅单晶(不使用坩锅)（电阻率2000Ω-mm）⑵成本高，可生产圆片尺寸较小(150mm)⑶主要用于功率器件⑷位错密度：103～105cm2定位边或定位槽的作用①识别晶向、导电类型及划片方向②硅片（晶锭）机械加工定位的参考面；③硅片装架的接触位置外延的定义：外延、外延层、外延片、同质外延、异质外延外延层：单晶衬底上单晶薄膜层外延：同质外延和异质外延同质外延：衬底与外延层为相同