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光电复习资料及答案

第一篇：光电复习资料及答案1右图为光敏电阻的驱动电路，在两不同光照条件下，光敏电阻的阻值分别为RG1和RG2，则为使在这两不同光照条件下，输出电压Vo的变化量最大，该如何选择负载电阻的阻值RL？解：2叙述光电池的工作原理以及开路电压、短路电流与光照度的关系。为什么光电池的输出与所接的负载有关系？解：（1）工作原理:光电池是一个简单得PN结。当光线照射PN结时，PN结将吸收入射光子。如果光子能量超过半导体材料的禁带宽度，则由半导体能带理论可知，在PN结附近会产生电子和空穴。在内电场的作用下，空穴移向P区，电子移向N区，使N区聚集大量的电子而带上负电，在P区聚集大量的空穴而带上正电。于是在P区和N区之间产生了电势，成为光生电动势。如果用导线或电阻把N区和P区连接起来，回路中就会有光电流I流过，电流方向是由P区流向N区。（6分）（2）光电池的电动势即开路电压与照度成非线性关系，在照度光电池的短路电流与照度成线性关系（4分）（3）当负载电阻较大时，光电流流过负载电阻时，必然使外加电场增大，由于外电场的方向是与内电场方向相反，故要削弱内电场的强度，从而使光生的电子和空穴不能移过PN结，使对外输出的光电流减少。（5分）3有一正弦调制光照射于光敏二极管，其电路如图所示，R=RL＝100K，光敏二极管的灵敏度S＝0.2μA/LUX。欲使其输出电压U0＝4V，求所需的照度变化。若RL由100K变至40K，问输出电压U0变至几伏?解：交流时C相当于短路,R//RL=50kΩ,光电流Ig=U0/50kΩ=0.08mA,照度变化Φ=Ig/s=0.08×0.2=400LUX,因为光敏二极管的电流与负载无关,Ig=0.08mA,此时,R//RL=28.6kΩ,V0=Ig×28.6kΩ=2.288V.4试用脉冲测量物理量的原理设计一个在线自动测长装置，即对传送带上运动物体进行自动测长。要求：（1）叙述测长原理。（2）画出结构原理框图。5如右图所示，设光敏电阻的暗阻为欧，亮阻为欧，E＝12V，为使其输出电压U的变化最大，求：(1)及最大的输出电压变化ΔU。(2)若光敏电阻的最大耗散功率为100mW，它的极限电压为100V，求容许的最大E为多少伏?解：①u(1010R88(1)L1010R44)EL由du0得，RL=106Ω时，Δu最大，最大值为11.7VdR②I=100mW/100V=1mA,E=1mA×106+100V=1100VI为光敏电阻的最大电流,E为容许的最大电压。6现有一光电二极管，其灵敏度为5.0105mA/Lx,在下图电路中，假设入射光通量范围为0~120lx,RL=120K,试估算光电流IS和输出电压Vout的范围?解：光电流6所以光电流的范围为0由虚短和虚断可知，输出电压,所以输出电压范围为7说明下列电路的工作原理并说明是一种什么类型(提示:亮通光还是暗通光电控制电路)的光电控制电路。解：当有光线照射到光电器件上时，光电三极管GG导通，有电流流过，三极管BG基极有电压，当光强达到一定强度时，三极管BG导通，有足够电流流过继电器使继电器动作，开关闭合，灯泡发亮。该电路是亮通光电控制电路。8为什么结型光电器件只有反偏置或零偏置时才有明显的光电效应？解：当光照射p-n结，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子-空穴对。这些非平衡载流子在内建电场作用下，空穴顺电场方向运动，电子逆电场方向运动，在开路状态，最后在n区边界积累光电子，P区积累光生空穴，产生一个与内建电场方向相反的光生电场。光电二极管在正偏时，成单向导电性，没有光电效应产生，只有反偏置或零偏置时，才产生明显光电效应。9某光敏电阻与负载电阻RL=2kΩ串接于12伏的直流电源上，无光照时负载电阻上的输出电压为u1=20mV，有光照时负载上的输出电流u2=2V，试求：光敏电阻的暗电阻和亮电阻值；若光敏电阻的光导灵敏度S=6×s/lx，求光敏电阻所受的照度？解：暗电阻亮电阻光生电流光电导光照度第二篇：复习资料答案．MAXⅡ系列芯片的结构有何特点？MAXⅡ系列芯片采用了新的结构，仍然以LAB为主要结构，但布线方法摒弃了以前的全局布线结构(GlobalRouting)，而采用了行列布线结构(Row&ColoumnRouting)。MAXⅡ系列CPLD内部的LAB基于查找表LUT(Look-UpTable)结构，这种结构使其与以前的任一款MAX系列CPLD相比，无论是芯片密度还是面积都有了显著的减小。此外，MAXⅡ系列芯片CPLD内部还集成了Flash存储器，这使得MAXⅡ系列芯片本身就具备了存储功能。．根据本章的定义，你认为应该如何区别FPGA与CPLD？CPLD是ComplexProgrammableLogicDevice（复杂可编程逻辑