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复旦微电子设计2011考研的一点经验

第一篇：复旦微电子设计2011考研的一点经验我今年报考了复旦微电子设计，成绩是420+。我不是最高分（最高分是427，杭电的一个大牛），本来轮不到我写这篇帖子，但我只是很想帮助一下以后考复旦微电子设计的同学，因为我深知自己在考复旦微电子路上的孤单，缺少指导和经验，在准备的过程中，就很想找一些这样的帖子，但很少。所以现在想留下点东西，也算对自己考研的一个纪念吧起点：武汉的一所大学，成绩在班里中游，大学没努力学习，想通过考研重新开始学校选择：面对的第一个问题，就是考什么学校。复旦，中科院，北大，当时面对这三个选择清华：清华的实力自不用说。但当时直接没考虑清华，因为只要4个人，风险实在太大。不过清华的微电子工程硕士招的人很多，每年考清华电子类的如果没上线，甚至可以调剂进微电子工硕。中科院：学术招20人左右，今年学术型的复试线是370。中科院的设计也很强。中科院一个优点就是工程和学术的待遇一样，时间也是三年。所以当时班里很多人考这儿，因为觉得即使考不上学术，还有工硕保底。但我不喜欢中科院那种研究所的氛围，还是希望进校园北大：算是这三个当中难度最低的吧，因为招的人最多，学术型的能招70个左右。去年学术录取到320分左右，今年跟全国形势一样，上升了二三十分，350分左右。北大的工艺全国第一，但设计貌似很不被人恭维。当时我考复旦动摇的时候，就想转考北大，但后来还是坚持住了复旦：毫无疑问，复旦微电子的设计是全国第一，能和复旦媲美的，只有清华，每年全国研究生EDA比赛，无论团队奖还是个人奖，都是复旦和清华学生的，从来没有第三个学校拿过，所以复旦微电子的实力毋庸置疑。但考研的难度在这三个学校里也最大，去年设计招了22人，今年据说招了25人左右。去年录取线是361，今年估计得录取到384左右吧。复旦的专业课最多，五本书，但说实话，考的内容不多，后面会细说。复旦算是我的DreamSchool吧，从一开始就梦想能去复旦，所以也毅然决然的报考了这儿专业课：一共五本书。但说实话，考的内容不多，仔细看看专业课大纲，你会发现数电只考前四章（第五章大纲有，但从没考过），模电（童诗白）主要考前六章，当然后面功率放大等还要看一看。模拟CMOS内容很多，但每年只考一个题，而且都是拉扎维那本书上最典型的题，甚至有一年就考的例题。数字集成电路大纲有四章，但每年的考点都集中在第五章和第六章。ASIC只需要看复旦的自编讲义，网上有，可以搜到，但大多数是PPT，没有第三章测试，有一个PDF版的，那个很全。下面细说一下各科模电：我开始用的陈光梦版，看了两遍，后来有看的童诗白的，才发现童诗白那本书的课后题，还有和童诗白课本配套的一本习题解答上的例题，都和复旦真题很像。所以我后来就没再看陈的，只看童的（看了至少四遍）。说实话，这两本都可以，弄透一本就行，当然首推童诗白的那本书，而且童的书课后题详细解答都有，还有那本习题解答上的例题都很经典。不建议陈和童两本都看。如果看童的，课后题和习题解答上的例题当然要做完，而且是反复的做，做到很熟很熟为止。模电我没有用其他参考书，觉得把童的书做透了就可以了，当然如果有精力的话，可以参考一下别的资料。看一下复旦每年考研试题你会发现出题很有规律性，再看童那本书，重点神马的就很了然了数电：陈的那本书很经典，看似很薄，其实需要花很大功夫（看了至少五遍）。数电也是每年出题最难的，像09年。当年，今年数电的题比较简单。数电只需看前四章，前三章简单，第四章是难点。陈那本书的课后题当然还是要全做，也是反复的做。做完这个有精力的话推荐买一本历年考研数电真题集，那本书集合了各个学校考研专业课中数电的题目，很有参考价值。和那本书一个系列的还有一本模电的，也可以买来参考一下。数电2011的题目偏简单。以往的试题出题也很有规律性，出题的难点一般在第四章同步时序电路的设计。这重题要多做，而且不能仅限于陈的课后题，多找其他资料做做这类题目CMOS模拟集成电路：拉扎维那本书不用说，经典中的经典。需要认真仔细的研究，虽然只考一个题，但那本书对以后研究生做模拟的重要性不言而喻，所以多看多耽误些时间也没有坏处。看看往年试题，你也能找到出题规律，重点当然是第三章，那一章是重中之重，也是基础。建议大家还是把考纲上的考点都看一下，这一部分出题变数比较大，甚至考过9章的内容。课后题尽量多做，当然全部做完是比较困难，而且也是没有必要的，只要把典型的弄懂弄透就很好了。王道还是看课本，特别是课本上的例题，尤其重要。数字集成电路：周润得翻译的那本。第五章和第六章是重中之重。往年考题也集中在这儿，课本看懂，做真题，做课后题。参考书上有一个网址，那个网站上有各章的课后题，网上可以搜到各章课后题的解答。五六章的课后题要仔细的做。做完了你就会发现甚至这些课后题里有往年真