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材料科学基础复习题2013

第一篇：材料科学基础复习题2013一、填空题1.材料结构影响材料的性能，从微观上材料结构分为三个层次()、（）、（）；2．硅酸盐晶体中[SiO4]四面体之间的结合方式有（）、（）、（）、（）和组群状五种结构方式。其中石英族晶体是（）结构方式；3.某位错的柏矢与位错线平行，则该位错为()；4.根据单键能的大小，形成玻璃的氧化物可分为（）、（）、（）三类；5.相律是描述处于热力学平衡状态的系统中（）与（）和（）之间关系的定律。6.固体相变的界面，按照原子排列的特点可分为（）、（）、（）。二、选择题：1.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的。（A）1/3（B）2/3（C）3/42.在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于。（A）单相区中（B）两相区中（C）三相平衡水平线上3.能进行攀移的位错必然是。（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错4.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则。（A）A组元的扩散速率大于B组元（B）B组元的扩散速率大于A组元（C）A、B两组元的扩散速率相同5.，位错滑移的派-纳力越小。（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大（C）相邻位错的距离越大6.下述有关自扩散的描述中正确的为。（A）自扩散系数由浓度梯度引起（B）自扩散又称为化学扩散（C）自扩散系数随温度升高而增加三、名称解释1．最紧密堆积原理；2．克肯达尔效应；3．肖特基缺陷；4．固溶强化；5．一级相变6珠光体；7.一级相变；8晶体结合能；9.间隙固溶体；10.浓度三角形四、判断题1.间隙相是固溶体的一种。2.液固相变成核条件是需要一定的过冷度，且成核速率随过冷度的增加而增加。3.根据相律计算，在匀晶相图中的两相区内，其自由度为2，即温度与成分这两个变量都可以独立改变。4.对扩散常数D0的影响因素主要是温度及扩散激活能。5.MgO是离子晶体，因此它完全由离子键结合而成。6.位错的伯格斯矢量是唯一的特征量，它表示位错的长度。五、简答题1.简要回答何谓金属的应变时效，并用柯氏气团解释该现象。2.由SiO２的相图解释制备压电晶体－石英采用水热法而不采用提拉法的原因。3.写出七大晶系的名称和其中任两个晶系的晶体常数特征。4.简述形成固溶体对晶体性质的影响。六、综合计算题1.假定某面心立方晶体可以开动的滑移系为(111)[110]。（1）写出引起滑移的单位位错的柏氏矢量；（2）假定在该滑移系作用一大小为7X106N/m2的切应力，计算单位刃位错线受力大小和方向（设晶格常数a=0.2nm）2.2.TiO2可用作汽车尾气传感器，检测空燃比，即尾气中的氧分压。根据所学缺陷知识，写出非化学计量化合物的缺陷反应方程式，说明其工作原理。3.下图为某三元固态互不溶解共晶系的投影图，当成分为F的材料从高温液相冷却到室温的过程中。1．画出冷却曲线及标明可能反应？2．列出计算初晶A相相对含量的公式。3．指出二元共晶线及三元共晶点。4.分析碳含量1wt％的Fe－C合金从液态平衡冷却至室温的转变过程。(本大题共3小题，每小题3分，共计9分)（1）用组织示意图说明各阶段的组织；（2）计算室温下的相组成物相对含量；（3）计算室温下组织组成物的相对含量5已知Cs半径为0.167nm，Cl半径为0.181nm。(本题共2小题，共计10分)+-（1）试画出CsCl的晶胞并确定其属于何种空间点阵；（4分）（2）计算其密度和堆积系数。（原子质量：Cs132.9;Cl35.5）6.已知200C铝在铜中的扩散系数为2.5X10-20cm2/s，在500C则为3.1X10-20cm2/s，试求铝在铜中扩散的激活能。第二篇：计算机网络基础复习题计算机网络基础复习题一、选择：1．ATM网络采用固定长度的信源传送数据，信元长度为（）A.1024BB.53BC.128BD.64B2．无线局域网的通信标准主要采用（）标准A.802.2B.802.3C.802.5D.802.113.1000BASE-T标准规定网卡与HUB之间的非屏蔽双绞线长度最大为（）A.50mB.100mC.200mD.500m4.以下网络中，适合广大中小单位使用的是（）A.FDDIB.ATMC.交换式以太网D.千兆位以太网5.下面哪个术语定义了“将数据分割成适合传输的小片”？A．协议B．多路复用C．分段D．封装6.下面哪个过程是在一条共享的信道或网络介质上混合传输多个数据流？A．多播B．多路复用C．封装D．多方向7.OSI模型中哪一层与IP编址相关？A．物理层B．数据链路层C．网络层D．传输层8.终端系统使用端口号选择适当的应用程序。什么是主机可以动态指派的最低端口号？A．1B．128C．256D．10249.下面哪个决定了运行TCP/IP的主机在必需收到确