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模电总结复习资料_模拟电子技术基础

第一篇：模电总结复习资料_模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点分为NPN和PNP两种。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件3.共射电路的特性曲线*输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。三.低频小信号等效模型（简化）四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。2.交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短*作用---分析信号被放大的过程。3.静态工作点与非线性失真路。（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。六.放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后*输出电阻八.共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数*输入电阻*输出电阻3.电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器。*输入电阻高，输出电阻低。第三章放大电路的频率响应单级放大电路的频率响应1．中频段(fL≤f≤fH)波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。2．低频段(f≤fL)‘3．高频段(f≥fH)4．完整的基本共射放大电路的频率特性第四章功率放大电路一.功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态o导通角为360，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态oICQ≈0，导通角为180，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态oo导通角为180~360，效率较高，失真较大。二.乙类功放电路的指标估算1.输出功率2.直流电源提供的平均功率4.管耗Pc1m=0.2Pom5.效率理想时为78.5%三.复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β2第五章集成运算放大电路一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点1静态分析1)计算差放电路IC设UB≈0，则UE=－0.7V，得2)计算差放电路UCE•双端输出时•单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1：对于VT2：2.动态分析1）差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2）差模输入电阻3）差模输出电阻•双端输出：•单端输出:三.集成运放的电压传输特性当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域：四.理想集成运放的参数及分析方法1.理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数Aod→∞；*差模输入电阻Rid→∞；*输出电阻Ro→0；*共模抑制比KCMR→∞；2.理想集成运放的分析方法1)运放工作在线性区:*电路特征——引入负反馈*电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断”---2)运放工作在非线性区*电路特征——开环或引入正反馈*电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，uo=+Uom当u+两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第六章放大电路中的反馈一