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集成电路典型工艺流程

第一篇：集成电路典型工艺流程集成电路典型工艺流程（1）晶圆晶圆（Wafer）的生产由二氧化硅开始，经电弧炉提炼还原成冶炼级的硅，再经盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，通过慢速分解过程，制成棒状或粒状的“多晶硅”。一般晶圆制造厂，将多晶硅熔化后，再利用“籽晶”慢慢拉出单晶硅棒。经研磨、拋光、切片后，即成为集成电路芯片生产的原料—晶圆片。（2）光刻光刻是在光刻胶上经过曝光和显影的工序，把掩模版上的图形转换到光刻胶下面的薄膜层或硅晶上。光刻主要包含了匀胶、烘烤、光罩对准、曝光和显影等工序。由于光学上的需要，这段工序的照明采用偏黄色的可见光，因此俗称此区域为黄光区。（3）干法刻蚀在半导体工艺中，刻蚀被用来将某种材质自晶圆表面上除去。干法刻蚀是目前最常用的刻蚀方式，以气体作为主要的刻蚀媒介，并凭借等离子体能量来驱动反应。（4）化学气相淀积（ChemicalVaporDeposition，CVD）化学气相淀积是制造微电子器件时用来淀积出某种薄膜（film）的技术，所淀积出的薄膜可能是介电材料（绝缘体，dielectrics）、导体或半导体。（5）物理气相淀积（PhysicalVaporDeposition，PVD）物理气相淀积主要包括蒸发和溅射。如其名称所示，物理气相淀积主要是一种物理变化的工艺而非化学工艺。这种技术一般使用氩气等惰性气体，凭借在高真空中將氩离子加速以撞击靶材后，可将靶材原子一个个溅射出来，并使被溅射出来的材质（通常为铝、钛或其合金）淀积在晶圆表面。反应室內部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再通过光刻与刻蚀，来得到所要的导电电路。（6）氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续淀积氮化硅薄膜时产生的应力（stress），氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与规晶圆间的应力。（7）离子注入离子注入工艺可将掺杂物质以离子形式注入半导体元件的特定区域上，以获得精确的电特性。這些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透薄膜，到达预定的注入深度。离子注入工艺可对注入区內的掺杂浓度加以精密控制。基本上，此掺杂浓度由离子束电流与扫描率来控制，而离子注入的深度则由离子束能量之大小来决定。（8）化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishingCMP）化学机械抛光兼其有抛光性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜淀积工序的进行。第二篇：污水处理典型工艺流程来源：中国污水处理工程网氧化沟工艺：中水回用处理典型工艺流程：来源：中国污水处理工程网垃圾渗滤液典型工艺流程：城市污水回用处理工艺：来源：中国污水处理工程网钢铁乳化液处理典型工艺流程：第三篇：卷烟厂典型工艺流程和配置卷烟厂典型工艺流程和配置制丝线制丝线一般包括：叶片线、白肋烟处理线、梗线、切丝线、烘丝线、切梗丝线、梗丝膨胀线、掺配加香线、储丝柜等几个工艺段。制丝线设备主要种类包括：筒类、皮带输送机、震动输送机、储柜、定量喂料系统等。其一般运行原理是：使用储仓来缓冲、储备物料；通过提升机提取物料，其速度受定量管内物料高度的控制；而定量管能够使物料流成为较规则的形状，以提高皮带秤的测量精度；最后，电子皮带秤通过物料流量或皮带速度来控制物料的计量。叶片线：叶片线由开包机、切片机、松散筒、异物剔除机、润叶筒等部件组成，经叶片线处理后的物料变得柔软、湿润，可大大提高物料的可加工性。白肋烟处理线：主要设备由白肋烟储柜、加料机、烘培机、电子皮带秤、加料筒组成。经白肋烟处理线处理后的白肋烟会被送入储柜进行混合、浸润、储存，然后与烤烟叶片掺配、储存后进行切丝处理。梗处理线：梗处理线由翻箱喂料机、提升喂料机、异物剔除机、加湿筒(润梗筒)、储梗柜等组成。切丝/切梗丝线：切丝/切梗丝线由切丝机、仓储喂料机、定量管、电子皮带秤、压梗机、切梗丝机等组成。烘丝线/梗丝膨化塔：通过HT(HEATEDTUNNEL)—加热通道、烘丝机/梗丝膨化塔等部件，使烟丝膨胀而变得柔韧而有弹性。配比加香线：通过冷却风机、储柜、翻箱喂料机、提升喂料机、配比皮带秤、加香机和储丝柜等部件，将叶丝、膨胀后的梗丝、薄片丝、膨胀后的叶丝及卷包车间回收的烟丝按设定的比例掺配、加香。二氧化碳膨胀烟丝线烟草膨胀技术的研究始于60年代末，70年代开始应用于生产，在国际卷烟工业获得广泛应用。二氧化碳(CO2)烟丝膨胀技术是美国菲利浦·莫里斯(PM)烟草公司与阿尔考(AIRC0)公司于70年代联合研制的，目前应用最为普遍的CO2膨胀烟丝技术有BOC和BAT两种模式。我国自1988年开始引进此项技术，1991年首先在上海、宁波两家烟厂投入使用，随后广一、张家口