像素阵列面板与包括像素阵列面板的数字X射线检测器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111354815A(43)申请公布日2020.06.30(21)申请号201911213090.1(22)申请日2019.12.02(30)优先权数据10-2018-01682952018.12.24KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人田惠知李汉锡(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人康建峰杜诚(51)Int.Cl.H01L31/115(2006.01)H01L31/0352(2006.01)H01L27/146(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图17页(54)发明名称像素阵列面板与包括像素阵列面板的数字X射线检测器(57)摘要公开了一种用于数字X射线检测器的像素阵列面板和数字X射线检测器。该像素阵列面板包括多个像素区域，其中，该像素阵列面板包括：与每个像素区域相对应的第一电极；设置在第一电极上并以矩阵形式布置的多个PIN(P型/I型/N型半导体)层；以及设置在每个PIN层上的第二电极。CN111354815ACN111354815A权利要求书1/2页1.一种用于数字X射线检测器的像素阵列面板，所述像素阵列面板包括多个像素区域，其中，所述像素阵列面板包括：与每个像素区域对应的第一电极；设置在所述第一电极上并以矩阵形式布置的多个PIN层即P型/I型/N型半导体层；以及设置在每个PIN层上的第二电极。2.根据权利要求1所述的像素阵列面板，其中，所述像素阵列面板还包括：具有所述多个像素区域的基板；设置在所述基板上并对应于每个像素区域的薄膜晶体管；覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化膜；设置在所述第一平坦化膜上的第一保护膜；第二保护膜，所述第二保护膜设置在所述第一保护膜上并且覆盖所述第一电极、所述PIN层和所述第二电极；设置在所述第二保护膜上的第二平坦化膜；设置在所述第二平坦化膜上的偏置线；以及桥接图案，所述桥接图案设置在所述第二平坦化膜上并将每个第二电极连接至所述偏置线，其中，所述第一电极设置在所述第一保护膜上，其中，所述桥接图案经由偏置接触孔连接至每个第二电极，所述偏置接触孔穿过所述第二保护膜和所述第二平坦化膜，其中，所述桥接图案与所述偏置线的至少一部分交叠。3.根据权利要求2所述的像素阵列面板，其中，所述第一电极在所述多个PIN层之中的与每个像素区域相对应的相邻PIN层之间的空间区域中与所述第二保护膜接触。4.根据权利要求2所述的像素阵列面板，其中，每个像素区域的所述第一电极经由第一像素接触孔和第二像素接触孔连接至每个像素区域的所述薄膜晶体管，所述第一像素接触孔穿过所述第一平坦化膜，所述第二像素接触孔对应于所述第一像素接触孔并且穿过所述第一保护膜。5.根据权利要求4所述的像素阵列面板，其中，所述薄膜晶体管包括：设置在所述基板上的有源层；设置在所述有源层的一部分上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上并连接至栅极线的栅电极；覆盖所述有源层和所述栅电极的层间绝缘膜；以及设置在所述层间绝缘膜上的源电极和漏电极，其中，所述源电极和所述漏电极之一经由所述第一像素接触孔和所述第二像素接触孔连接至所述第一电极，同时所述源电极和所述漏电极中的另一个连接至数据线。6.根据权利要求2所述的像素阵列面板，其中，所述像素阵列面板还包括：覆盖所述偏置线和所述桥接图案的第三保护膜；设置在所述第三保护膜上的第三平坦化膜；以及设置在所述第三平坦化膜上的闪烁体。7.一种包括像素阵列面板的数字X射线检测器，其中，所述像素阵列面板包括：多个像素区域；2CN111354815A权利要求书2/2页对应于每个像素区域的第一电极；设置在所述第一电极上并以矩阵形式布置的多个PIN层，即P型/I型/N型半导体层；以及设置在每个PIN层上的第二电极。8.根据权利要求7所述的数字X射线检测器，其中，所述像素阵列面板还包括：具有所述多个像素区域的基板；设置在所述基板上并且对应于每个像素区域的薄膜晶体管；覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化膜；设置在所述第一平坦化膜上的第一保护膜；第二保护膜，所述第二保护膜设置在所述第一保护膜上并且覆盖所述第一电极、所述PIN层和所述第二电极；设置在所述第二保护膜上的第二平坦化膜；设置在所述第二平坦化膜上的偏置线；以及桥接图案，所述桥接图案设置在所述第二平坦化膜上并且将每个第二电极连接至所述偏置线，其中，所述第一电极设置在所述第一保护膜上，其中，所述桥接图案经由偏置接触孔连接至每个第二电极，所述偏置接触孔穿过所述第二保护膜和所述第二平坦化膜，其中，所述桥接图案与所述偏置线的至少一部分交叠。9.根据权利要求8所述的数字X射线检测器，其中，每个像素区域的所述第一电极经由第一像素接触孔和第二像素接触孔连接至每个像素区域的所述薄膜晶体