有机发光显示装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105742313A(43)申请公布日2016.07.06(21)申请号201510752444.5(22)申请日2015.11.06(30)优先权数据10-2014-01951362014.12.31KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人朴洪基裴孝大金守珍(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称有机发光显示装置及其制造方法(57)摘要有机发光显示装置及其制造方法。讨论了一种有机发光显示OLED装置以及该OLED装置的制造方法。根据一个实施方式的OLED装置包括：薄膜晶体管，其形成在基板上；平整层，其形成在所述薄膜晶体管上；第一堤层，其包括第一开口；下电极，其形成在所述第一开口中并且连接到所述薄膜晶体管，所述下电极的端部设置在所述第一堤层上；第二堤层，其形成在所述第一堤层上并且覆盖所述下电极的端部，所述第二堤层包括与所述第一开口对应的第二开口；有机发光层，其形成在所述第二开口中的所述下电极上；以及上电极，其形成在所述有机发光层上。CN105742313ACN105742313A权利要求书1/2页1.一种有机发光显示OLED装置，该OLED装置包括：基板；薄膜晶体管，该薄膜晶体管形成在所述基板上；平整层，该平整层形成在所述薄膜晶体管上；第一堤层，该第一堤层形成在所述平整层上并且包括第一开口；下电极，该下电极形成在所述第一开口中并且连接到所述薄膜晶体管，所述下电极的端部设置在所述第一堤层上；第二堤层，该第二堤层形成在所述第一堤层上并且覆盖所述下电极的所述端部，所述第二堤层包括与所述第一开口对应的第二开口；有机发光层，该有机发光层形成在所述下电极上并位于所述第二开口中；以及上电极，该上电极形成在所述有机发光层上。2.根据权利要求1所述的OLED装置，该OLED装置还包括：补偿层，该补偿层形成在所述平整层和所述第一堤层的上面并且在所述下电极和所述第二堤层的下面，其中，所述上电极直接形成在所述有机发光层和所述第二堤层二者的上面。3.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一堤层具有水平部和倾斜部。4.根据权利要求3所述的OLED装置，其中，所述第二开口大于所述第一开口。5.根据权利要求4所述的OLED装置，其中，所述第一开口将所述平整层的一部分露出。6.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一堤层具有水平部和倾斜部，以及其中，所述下电极的周边部分形成在所述第一堤层的所述倾斜部上。7.根据权利要求6所述的OLED装置，其中，所述下电极被形成为覆盖所述第一堤层的所述水平部的一部分和所述倾斜部。8.根据权利要求7所述的OLED装置，其中，所述第一堤层的厚度在约0.5微米至2.5微米之间。9.根据权利要求7所述的OLED装置，其中，所述第一堤层具有倾斜角度在约10度至70度之间的倾斜部。10.根据权利要求9所述的OLED装置，其中，所述下电极的中心部是水平的，所述下电极的在所述下电极的所述中心部与所述端部之间的居间部按照第一斜率倾斜，以及其中，所述下电极的所述居间部和所述端部在所述第一堤层上。11.一种制造有机发光显示OLED装置的方法，该方法包括以下步骤：形成基板；在所述基板上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成平整层；在所述平整层上形成包括第一开口的第一堤层；在所述第一开口中形成连接到所述薄膜晶体管的下电极，所述下电极的端部设置在所述第一堤层上；在所述第一堤层上形成覆盖所述下电极的所述端部的第二堤层，所述第二堤层包括与所述第一开口对应的第二开口；在所述下电极上形成有机发光层，并且所述有机发光层位于所述第二开口中；以及2CN105742313A权利要求书2/2页在所述有机发光层上形成上电极。12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述平整层和所述第一堤层的上面并且在所述下电极和所述第二堤层的下面形成补偿层，其中，所述上电极直接形成在所述有机发光层和所述第二堤层二者的上面。13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一堤层具有水平部和倾斜部。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二开口大于所述第一开口。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一开口将所述平整层的一部分露出。16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一堤层具有水平部和倾斜部，以及其中，所述下电极的周边部分形成在所述第一堤层的所述倾斜部上。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述下电极被形成为覆盖所述第一堤层的所述水平部的一部分和所述倾斜部。18.根据