无结硅纳米线晶体管中与杂质量子点相关的输运特性研究的任务书.docx

无结硅纳米线晶体管中与杂质量子点相关的输运特性研究的任务书
任务书
题目：无结硅纳米线晶体管中与杂质量子点相关的输运特性研究
背景：
硅纳米线晶体管具有优越的电学性能，是未来微电子学发展的重要方向之一。然而，在硅纳米线晶体管中存在的杂质量子点对其电学性能会产生很大影响，因此如何更好地研究无结硅纳米线晶体管中与杂质量子点相关的输运特性，具有重要的研究意义和应用价值。
目的：
本研究旨在通过实验和理论模拟相结合的方法，深入探究无结硅纳米线晶体管中与杂质量子点相关的输运特性，为深入研究硅纳米线晶体管的应用提供基础和理论支持。
任务：
1.确定研究无结硅纳米线晶体管中与杂质量子点相关的输运特性的实验方法和方案，包括制备硅纳米线晶体管样品，采用什么实验手段进行测量等。
2.实验测量硅纳米线晶体管中杂质量子点的能级和能量位移等参数，研究这些参数对输运特性的影响。
3.通过模拟计算的方法，结合实验数据，对无结硅纳米线晶体管中杂质量子点相关的输运特性进行深入研究，并提出相应建议和帮助。
4.撰写研究论文，对研究结果和成果进行总结和概括，阐述该研究对未来微电子学的发展和应用具有的重要意义和价值。
要求：
1.对硅纳米线晶体管的物理性质和特点具有相当的了解和实践经验。
2.具备高精度的实验测量和数据分析能力，有较强的理论物理基础。
3.具备一定的理论模拟和计算机编程技能，并对计算模型和算法有深入的了解和掌握。
4.熟练使用包括Matlab和Python在内的科学计算工具和软件，较强的编程能力和数据可视化能力。
5.具有一定英文阅读和写作能力，能够达到较高的学术论文写作水平，并能做好论文的撰写和排版工作。
时间安排：
本次任务预计耗时3个月。
第1个月：确定研究方案和实验方法，开始硅纳米线晶体管的制备工作，完成对杂质量子点能级的实验测量和数据分析，准备模拟计算工作。
第2个月：进行模拟计算工作和数据处理，并深入研究杂质量子点的输运特性，分析各个参数之间的相互关系，并进一步优化实验方案和模拟计算模型。
第3个月：撰写研究论文，总结整个研究过程，分享得出的结论和成果，并探讨该研究的应用和未来发展方向。
参考文献：
1.Lin,Y.M.,&Lieber,C.M.(2007).Nanowirefield-effecttransistorswith10nmscalelength.Science(NewYork,NY),764-767.
2.Novoselov,K.S.,&Geim,A.K.(2007).Theriseofgraphene.Naturematerials,6(3),183-191.
3.Appenzeller,J.,Martel,R.,Derycke,V.,&Avouris,P.(2004).Carbonnanotubefield-effecttransistors.Physicstoday,57(12),33-39.
4.Cao,Q.,&Rogers,J.A.(2009).Ultrathinfilmsofsingle-walledcarbonnanotubesforelectronicsandsensors:areviewoffundamentalandappliedaspects.AdvancedMaterials,21(1),29-53.
5.Stern,E.,Vacic,A.,Rajan,N.K.,Criscione,J.M.,Park,J.H.,&Reed,M.A.(2006).Label-freeimmunodetectionwithCMOS-compatiblesemiconductingnanowires.Nature,445(7127),519-522.