全耗尽SOI MOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究的任务书.docx

全耗尽SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究的任务书
任务书：全耗尽SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究
一、研究背景
随着半导体技术的发展，新型半导体器件的研究和开发越来越得到重视。全耗尽SOIMOSFET是一种新型的器件，具有优异的电性能和可靠性能。其中亚阈值区是其重要的工作状态，对器件的性能有着重要的影响。因此，对全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的研究具有重要意义。
二、研究内容
本次研究将重点研究全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的电学特性，建立其二维半解析模型，以提高其工作性能和可靠性。具体内容包括：
1.系统分析全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的电学特性，确定研究方法和技术路线。
2.建立其二维半解析模型，分析亚阈值区的电场、电流分布和载流子浓度分布，预测亚阈值区的性能表现。
3.进行模型验证和参数拟合，与实验数据比对，优化模型参数，提高预测精度。
4.应用研究结果，为全耗尽SOIMOSFET的工艺制造和器件性能提升提供理论指导。
三、研究方法
本次研究将应用数值模拟方法，采用SilvacoTCAD工具对全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的电学特性进行模拟和分析。使用二维半解析模型，通过对电场、电流分布、载流子浓度分布等参数的预测与实验数据的比对，验证和优化模型。
四、任务分工
1.系统分析全耗尽SOIMOSFET亚阈值区电学特性，确定研究方法和技术路线，撰写研究方案，由指导教师负责。
2.建立全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的二维半解析模型，分析其电学特性，由课题负责人负责。
3.进行模型验证和参数拟合，与实验数据比对，优化模型参数，提高预测精度，由研究小组成员共同完成。
4.撰写研究报告，和指导教师一起改进研究工作。
五、要求与考核
本次研究要求参与者具有一定的半导体器件理论基础和数值模拟经验。要求参与者严格按研究计划和任务要求执行研究任务，保持良好的团队合作和沟通，完成研究报告。考核内容包括对研究方案、研究报告和研究工作的掌握和理解，实验数据处理和模型验证结果的精度等。