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一种28nm工艺下抗单粒子翻转SRAM的12T存储单元设计
论文标题：基于28nm工艺的抗单粒子翻转SRAM12T存储单元设计
摘要：
SRAM（StaticRandom-AccessMemory）是一种广泛应用于计算机系统中的高速随机存取存储器。然而，长期以来，SRAM在单粒子翻转敏感性方面存在一定的挑战，特别是在28nm工艺下。为了解决这个问题，本研究提出了一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元设计方案。该设计采用12T存储单元结构，旨在提高存储单元在28nm工艺下的稳定性和可靠性。
关键词：SRAM存储单元，抗单粒子翻转，28nm工艺，12T结构
引言：
SRAM是一种应用广泛的存储器，被广泛应用于高性能计算机系统、嵌入式系统等领域。然而，随着集成度的不断提高，SRAM面临着越来越多的挑战。其中之一是单粒子翻转敏感性。28nm工艺下，单粒子翻转的概率更高，因此需要采取一系列措施来提高SRAM的抗单粒子翻转能力。本文旨在通过采用12T存储单元结构来提高SRAM存储单元的稳定性和可靠性，并在28nm工艺下进行了深入研究和验证。
方法：
本文所提出的抗单粒子翻转SRAM存储单元采用12T结构，它由6个传输门和6个存储脚组成。具体来说，存储单元包括一个读/写传输栅（Tr1）以及一个用于读模式的辅助储存脚（ST）和一个用于写模式的辅助储存脚（SDB）。将辅助储存脚与传输门一起使用，可以实现更好的抗单粒子翻转能力。
结果与讨论：
通过建立28nm工艺下的抗单粒子翻转SRAM存储单元模型，我们对比了传统6T结构的SRAM存储单元和我们提出的12T结构的抗单粒子翻转SRAM存储单元。实验结果表明，我们的设计可以显著降低单粒子翻转发生的概率。特别是在噪声环境下，我们的设计表现出更好的稳定性和可靠性。
结论：
本文提出了一种基于28nm工艺的抗单粒子翻转SRAM存储单元设计方案。通过采用12T结构和辅助储存脚，我们得出了该设计在提高SRAM存储单元稳定性和可靠性方面的有效性。尽管该设计会略微增加硅芯片面积，但是其在提高SRAM抗单粒子翻转能力方面的重要性不言而喻。未来的研究可以进一步优化该设计并在更复杂的工艺节点下进行验证。
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