基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展.docx 立即下载
2024-12-05
约2千字
约2页
0
11KB
举报 版权申诉
预览加载中,请您耐心等待几秒...

基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展.docx

基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展.docx

预览

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

5 金币

下载文档

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展
基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展
摘要:二维材料的发展为自旋-轨道矩领域带来了重要的突破。本文综述了基于二维材料的自旋-轨道矩研究的最新进展,包括二维材料的制备方法、自旋-轨道矩的原理和性质以及其在磁性存储和自旋电子学中的应用。通过对相关文献和实验结果的综合分析,我们认为基于二维材料的自旋-轨道矩研究在未来将有广阔的应用前景。
引言:自旋-轨道矩是一种与电子自旋和轨道运动相互作用的现象。在晶体中,自旋-轨道矩的存在导致了一些有趣的物理性质,如磁性和电子自旋操控等。然而,传统的自旋-轨道矩材料一般具有复杂的结构和成分,制备困难,限制了自旋-轨道矩的研究与应用。二维材料的出现,为解决这一问题提供了新的途径。
一、二维材料的制备方法
目前,制备二维材料的方法主要包括机械剥离法、化学气相沉积法和溶液法等。机械剥离法是最早被发现的制备二维材料的方法,通过机械力将晶体材料从基底上剥离得到二维薄片。化学气相沉积法是利用化学气相沉积技术在基底上生长二维材料,得到的材料质量较高。溶液法则是利用溶液扩散法将溶液中的原子或分子聚集在基底上形成二维结构。这些制备方法在二维材料领域中取得了重要的突破,为后续的研究提供了可靠的实验基础。
二、自旋-轨道矩的原理和性质
自旋-轨道矩是电子自旋和轨道运动相互作用的结果。当电子在晶格中运动时,其自旋会和轨道运动相互作用形成一个新的角动量,即自旋-轨道矩。自旋-轨道矩影响了电子在晶体中的能带结构和导电性质,也影响了材料的磁性和光学性质。二维材料的独特结构和形态使其具有许多特殊的自旋-轨道矩性质。例如,二维材料中的自旋-轨道矩通常具有较高的强度和较长的寿命,这对于自旋电子学和磁性存储等应用非常重要。
三、基于二维材料的自旋-轨道矩应用
基于二维材料的自旋-轨道矩在磁性存储和自旋电子学中具有巨大的应用潜力。首先,二维材料的自旋-轨道矩可以用于实现更高密度的磁性存储。通过控制自旋-轨道矩的方向和大小,可以实现更小尺寸、更高稳定性和更快读写速度的磁存储器件。其次,二维材料的自旋-轨道矩可以用于实现自旋电子学器件。通过操控自旋-轨道矩,可以在二维材料中实现自旋流和自旋转换效应,从而实现自旋电子学器件的功能。此外,二维材料的自旋-轨道矩还可以用于实现量子比特的操控,从而推动量子计算和量子通信的发展。
结论:基于二维材料的自旋-轨道矩研究在过去几年取得了重要的进展。通过制备高质量的二维材料并研究其自旋-轨道矩特性,我们可以更好地理解自旋-轨道矩的原理和性质,并实现其在磁性存储和自旋电子学等领域的应用。尽管目前在二维材料的自旋-轨道矩研究中仍存在一些挑战,但我们相信未来将会有更多的突破和发展。通过深入研究和不断创新,基于二维材料的自旋-轨道矩有望为新型纳米电子器件和量子计算等领域带来巨大的潜力和机遇。
参考文献:
[1]Geim,A.K.,&Novoselov,K.S.(2007).Theriseofgraphene.Naturematerials,6(3),183-191.
[2]Xiao,D.,Liu,G.B.,Feng,W.,Xu,X.,&Yao,W.(2012).CoupledspinandvalleyphysicsinmonolayersofMoS2andothergroup-VIdichalcogenides.Physicalreviewletters,108(19),196802.
[3]Wang,Z.F.,Zhang,H.,Liu,C.X.,Liu,X.L.,&Zhang,S.C.(2012).SuperconductingproximityeffectandMajoranafermionsatthesurfaceofatopologicalinsulator.PhysicalReviewB,85(3),035414.
[4]Zhu,Z.Y.,Collaudin,A.,Fauqué,B.,Kang,W.,Behnia,K.,&Lee,D.H.(2014).Quantumoscillations,thermoelectriccoefficients,andtheFermisurfaceofsemimetallicWTe2.PhysicalReviewB,89(3),035148.
[5]Li,L.,Yu,Y.,Ye,G.J.,Ge,Q.,Ou,X.,Wu,H.,...&Zhang,Y.(2014).Blackphosphorusfield-effecttransistors.Naturenanotechnology,9(5),372.
关键词:二维材料;自旋-轨道矩;磁性存储;自旋电子学
查看更多
单篇购买
VIP会员(1亿+VIP文档免费下)

扫码即表示接受《下载须知》

基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展

文档大小:11KB

限时特价:扫码查看

• 请登录后再进行扫码购买
• 使用微信/支付宝扫码注册及付费下载,详阅 用户协议 隐私政策
• 如已在其他页面进行付款,请刷新当前页面重试
• 付费购买成功后,此文档可永久免费下载
全场最划算
12个月
199.0
¥360.0
限时特惠
3个月
69.9
¥90.0
新人专享
1个月
19.9
¥30.0
24个月
398.0
¥720.0
6个月会员
139.9
¥180.0

6亿VIP文档任选,共次下载特权。

已优惠

微信/支付宝扫码完成支付,可开具发票

VIP尽享专属权益

VIP文档免费下载

赠送VIP文档免费下载次数

阅读免打扰

去除文档详情页间广告

专属身份标识

尊贵的VIP专属身份标识

高级客服

一对一高级客服服务

多端互通

电脑端/手机端权益通用